參數(shù)資料
型號: IDT71028S20YG8
廠商: INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類: SRAM
英文描述: 256K X 4 STANDARD SRAM, 20 ns, PDSO28
封裝: 0.400 INCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SOJ-28
文件頁數(shù): 8/8頁
文件大?。?/td> 457K
代理商: IDT71028S20YG8
6.42
IDT71028 CMOS Static RAM
1 Meg (256K x 4-Bit) Commercial and Industrial Temperature Ranges
Datasheet Document History
09/23/99:
Updated to new format
Added industrial temperature range offerings
Removed 17ns speed grade
Revised notes and footnotes on Write Cycle No. 1 and No. 2 diagrams
Added Datasheet Document History
Revised I
SB
to accomdate speed functionality
Not recommended for new designs
Removed "Not recommended for new designs"
Added "Restricted hazardous substance device" to ordering information.
Pg. 1–4, 7
Pg. 1, 3, 4, 7
Pg. 6
Pg. 8
Pg. 3
03/14/00
08/09/00
02/01/01
03/31/05
Pg. 7
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IDT71124S12Y8 功能描述:IC SRAM 1MBIT 12NS 32SOJ RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步,DDR II 存儲容量:18M(1M x 18) 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA(13x15) 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ
IDT71124S12YG 功能描述:IC SRAM 1MBIT 12NS 32SOJ RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:4G(256M x 16) 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:48-TFSOP(0.724",18.40mm 寬) 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP I 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:557-1461-6
IDT71124S12YG8 功能描述:IC SRAM 1MBIT 12NS 32SOJ RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 異步 存儲容量:256K (32K x 8) 速度:15ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:28-TSSOP(0.465",11.8mm 寬) 供應(yīng)商設(shè)備封裝:28-TSOP 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:71V256SA15PZGI8