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參數(shù)資料
| 型號： | IDT70V27L25GI |
| 廠商： | Integrated Device Technology, Inc. |
| 英文描述： | HIGH-SPEED 3.3V 32K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM |
| 中文描述： | 高速3.3 32K的× 16 DUAL-PORT靜態(tài)RAM |
| 文件頁數(shù)： | 15/22頁 |
| 文件大?。?/td> | 192K |
| 代理商： | IDT70V27L25GI |
Commercial and Industrial Temperature Range
BUSY
!"4$
!>.
S
2<
*E
$
!B$
IDT 70V27S/L
High-Speed 3.3V 32K x 16 Dual-Port Static RAM
'/: /C(,,--
15
NOTES:
1. t
WH
must be met for both
BUSY
input (SLAVE) and output (MASTER).
2.
BUSY
is asserted on port "B" blocking R/
W
"B"
, until
BUSY
"B"
goes HIGH.
3. t
WB
is only for the "Slave" version.
'/: /C(
BUSY
!>.
S
2<
*9
$
3603 drw 11
t
DW
t
APS
ADDR
"A"
t
WC
DATA
OUT "B"
MATCH
t
WP
R/
W
"A"
DATA
IN "A"
ADDR
"B"
t
DH
VALID
(1)
MATCH
BUSY
"B"
t
BDA
VALID
t
BDD
t
DDD
(3)
t
WDD
t
BAA
NOTES:
1. To ensure that the earlier of the two ports wins. t
APS
is ignored for M/
S
= V
IL
(SLAVE).
2.
CE
L
=
CE
R
= V
IL
(refer to Chip Enable Truth Table).
3.
OE
= V
IL
for the reading port.
4. If M/
S
= V
IL
(SLAVE), then
BUSY
is an input. Then for this example
BUSY
"
A
"= V
IH
and
BUSY
"
B
"= input is shown above.
5. All timng is the same for left and right ports. Port "A" may be either the left or right port. Port "B" is the port opposite fromport "A".
3603 drw 12
R/W
"A"
BUSY
"B"
t
WP
t
WB
R/
W
"B"
t
WH
(2)
(3)
(1)
,,
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT70V27L25PF | HIGH-SPEED 3.3V 32K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM |
| IDT70V27L25PFI | HIGH-SPEED 3.3V 32K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM |
| IDT70V27S55BF | HIGH-SPEED 3.3V 32K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM |
| IDT70V27S55BFI | HIGH-SPEED 3.3V 32K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM |
| IDT70V27S55G | HIGH-SPEED 3.3V 32K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IDT70V27L25PF | 功能描述:IC SRAM 512KBIT 25NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應商設備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8 |
| IDT70V27L25PF8 | 功能描述:IC SRAM 512KBIT 25NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應商設備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8 |
| IDT70V27L35PF | 功能描述:IC SRAM 512KBIT 35NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應商設備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8 |
| IDT70V27L35PF8 | 功能描述:IC SRAM 512KBIT 35NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應商設備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8 |
| IDT70V27L35PFI | 功能描述:IC SRAM 512KBIT 35NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:2,500 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:1K (128 x 8) 速度:100kHz 接口:UNI/O?（單線） 電源電壓:1.8 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） 供應商設備封裝:8-MSOP 包裝:帶卷 (TR) |
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