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參數資料
| 型號： | IDT7027 |
| 廠商： | Integrated Device Technology, Inc. |
| 英文描述： | HIGH-SPEED 32K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM |
| 中文描述： | 高速32K的× 16 DUAL-PORT靜態(tài)RAM |
| 文件頁數： | 12/19頁 |
| 文件大小： | 160K |
| 代理商： | IDT7027 |
6.42
IDT7027S/L
High-Speed 32K x 16 Dual-Port Static RAM Military, Industrial and Commercial Temperature Ranges
NOTES:
1. Port-to-port delay through RAMcells fromwriting port to reading port, refer to "Timng Waveformof Write with Port-to-Port Read and
BUSY
(M/
S
= V
IH
)".
2. To ensure that the earlier of the two ports wins.
3. t
BDD
is a calculated parameter and is the greater of 0, t
WDD
–
t
WP
(actual), or t
DDD
–
t
DW
(actual).
4. To ensure that the write cycle is inhibited on port "B" during contention on port "A".
5. To ensure that a write cycle is completed on port "B" after contention on port "A".
6. 'X' in part numbers indicates power rating (S or L).
7. Industrial temperature: for other speeds, packages and powers contact your sales office.
)%68%
6$,/9:+
>
7027X20
Com'l Only
7027X25
Com'l, Ind.
& Mlitary
7027X35
Com'l &
Mlitary
7027X55
Com'l &
Mlitary
Symbol
Parameter
Mn.
Max.
Mn.
Max.
Mn.
Max.
Mn.
Max.
Unit
BUSY
TIMING (M/
S
=V
IH
)
t
BAA
BUSY
Access Time fromAddress Match
____
20
____
20
____
20
____
45
ns
t
BDA
BUSY
Disable Time fromAddress Not Matched
____
20
____
20
____
20
____
40
ns
t
BAC
BUSY
Access Time fromChip Enable Low
____
20
____
20
____
20
____
40
ns
t
BDC
BUSY
Access Time fromChip Enable High
____
17
____
17
____
20
____
35
ns
t
APS
Arbitration Priority Set-up Time
(2)
5
____
5
____
5
____
5
____
ns
t
BDD
BUSY
Disable to Valid Data
(3)
____
30
____
30
____
35
____
40
ns
t
WH
Write Hold After
BUSY
(5)
15
____
17
____
25
____
25
____
ns
BUSY
TIMING (M/
S
=V
IL
)
t
WB
BUSY
Input to Write
(4)
0
____
0
____
0
____
0
____
ns
t
WH
Write Hold After
BUSY
(5)
15
____
17
____
25
____
25
____
ns
PORT-TO-PORT DELAY TIMING
t
WDD
Write Pulse to Data Delay
(1)
____
45
____
50
____
60
____
80
ns
t
DDD
Write Data Valid to Read Data Delay
(1)
____
30
____
35
____
45
____
65
ns
3199 tbl 14
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT7027L | HIGH-SPEED 32K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM |
| IDT7027L20G | HIGH-SPEED 32K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM |
| IDT7027L20GB | HIGH-SPEED 32K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM |
| IDT7027L20GI | HIGH-SPEED 32K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM |
| IDT7027L20PF | HIGH-SPEED 32K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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| IDT7027L15PFG | 功能描述:IC SRAM 512KBIT 15NS 100TQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應商設備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8 |
| IDT7027L15PFG8 | 功能描述:IC SRAM 512KBIT 15NS 100TQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應商設備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8 |
| IDT7027L20PF | 功能描述:IC SRAM 512KBIT 20NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應商設備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8 |
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