- 您現(xiàn)在的位置：買(mǎi)賣(mài)IC網(wǎng) > PDF目錄377267 > IDT7025L17F (INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC) HIGH-SPEED 8K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IDT7025L17F |
| 廠商： | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
| 元件分類(lèi)： | DRAM |
| 英文描述： | HIGH-SPEED 8K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM |
| 中文描述： | 8K X 16 DUAL-PORT SRAM, 17 ns, QFP84 |
| 封裝： | FP-84 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 8/20頁(yè) |
| 文件大小： | 294K |
| 代理商： | IDT7025L17F |
第1頁(yè)第2頁(yè)第3頁(yè)第4頁(yè)第5頁(yè)第6頁(yè)第7頁(yè)當(dāng)前第8頁(yè)第9頁(yè)第10頁(yè)第11頁(yè)第12頁(yè)第13頁(yè)第14頁(yè)第15頁(yè)第16頁(yè)第17頁(yè)第18頁(yè)第19頁(yè)第20頁(yè)
6.16
8
IDT7025S/L
HIGH-SPEED 8K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM
MILITARY AND COMMERCIAL TEMPERATURE RANGES
NOTES:
1. Timing depends on which signal is asserted last,
OE
,
CE
,
LB
, or
UB
.
2. Timing depends on which signal is de-asserted first,
CE
,
OE
,
LB
, or
UB
.
3. t
BDD
delay is required only in case where opposite port is completing a write operation to the same address location for simultaneous read operations
BUSY
has no relation to valid output data.
4. Start of valid data depends on which timing becomes effective last
t
ABE
,
t
AOE
,
t
ACE
,
t
AA
or t
BDD
.
5.
SEM
= V
IH
.
WAVEFORM OF READ CYCLES
(5)
TIMING OF POWER-UP POWER-DOWN
t
RC
R/
W
CE
ADDR
t
AA
t
ACE(4)
OE
UB
,
LB
2683 drw 07
(4)
t
AOE(4)
t
ABE(4)
(1)
t
LZ
t
OH
(2)
t
HZ
(3, 4)
t
BDD
DATA
OUT
BUSY
OUT
VALID DATA
(4)
CE
2683 drw 08
t
PU
I
CC
I
SB
t
PD
50%
50%
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT7025L17FB | HIGH-SPEED 8K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM |
| IDT7025L17G | HIGH-SPEED 8K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM |
| IDT7025L17GB | HIGH-SPEED 8K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM |
| IDT7025L17J | HIGH-SPEED 8K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM |
| IDT7025L17PF | HIGH-SPEED 8K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IDT7025L17G | 功能描述:IC SRAM 128KBIT 17NS 84PGA RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類(lèi)型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR) |
| IDT7025L17J | 功能描述:IC SRAM 128KBIT 17NS 84PLCC RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 雙端口，同步 存儲(chǔ)容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱(chēng):70V3579S5BCI8 |
| IDT7025L17J8 | 功能描述:IC SRAM 128KBIT 17NS 84PLCC RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:45 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 雙端口，異步 存儲(chǔ)容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤(pán) 其它名稱(chēng):70V25S15PF |
| IDT7025L17PF | 功能描述:IC SRAM 128KBIT 17NS 100TQFP RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 雙端口，同步 存儲(chǔ)容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱(chēng):70V3579S5BCI8 |
| IDT7025L17PF8 | 功能描述:IC SRAM 128KBIT 17NS 100TQFP RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:45 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 雙端口，異步 存儲(chǔ)容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤(pán) 其它名稱(chēng):70V25S15PF |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。