參數(shù)資料
型號: IDT7024S25J
廠商: INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類: DRAM
英文描述: 600V N-Channel SuperFET; Package: TO-220F; No of Pins: 3; Container: Rail
中文描述: 4K X 16 DUAL-PORT SRAM, 25 ns, PQCC84
封裝: PLASTIC, LCC-84
文件頁數(shù): 8/20頁
文件大小: 292K
代理商: IDT7024S25J
6.15
8
IDT7024S/L
HIGH-SPEED 4K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM
MILITARY AND COMMERCIAL TEMPERATURE RANGES
NOTES:
1. Timing depends on which signal is asserted last,
CE
,
OE
,
LB
, or
UB
.
2. Timing depends on which signal is de-asserted first,
CE
,
OE
,
LB
, or
UB
.
3. t
BDD
delay is required only in cases where opposite port is completing a write operation to the same address location. For simultaneous read operations
BUSY
has no relation to valid output data.
4. Start of valid data depends on which timing becomes effective last
t
ABE
, t
AOE
, t
ACE
, t
AA
or t
BDD
.
5.
SEM
= V
IH
.
TIMING OF POWER-UP POWER-DOWN
WAVEFORM OF READ CYCLES
(5)
t
RC
R/
W
CE
ADDR
t
AA
t
ACE(4)
OE
UB
,
LB
2740 drw 07
(4)
t
AOE(4)
t
ABE(4)
(1)
t
LZ
t
OH
(2)
t
HZ
(3, 4)
t
BDD
DATA
OUT
BUSY
OUT
VALID DATA
(4)
CE
2740 drw 08
t
PU
I
CC
I
SB
t
PD
50%
50%
相關PDF資料
PDF描述
IDT7024S25JB 600V N-Channel SuperFET; Package: TO-220F; No of Pins: 3; Container: Rail
IDT7024S25PF 600V N-Channel MOSFET; Package: TO-251(IPAK); No of Pins: 3; Container: Rail
IDT7024S25PFB 600V N-Channel MOSFET; Package: TO-251(IPAK); No of Pins: 3; Container: Rail
IDT7024S35F 30V/80A Synchronous Rectifier Module; Package: EPM15-AA; No of Pins: 15; Container: Rail
IDT7024L20F HIGH-SPEED 4K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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