參數(shù)資料
型號(hào)： IDT7009L20PF
廠商： INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類： DRAM
英文描述： Sealed Serial Bus Connector; Connector Shell Back Termination:USB-A Receptacle; Connector Shell Finish:Black Coating; Data Rate:1024Mbps; Features:Protective Cap; Series:USBFTV; USB Connector Shell Style:Square Flange Receptacle RoHS Compliant: Yes
中文描述： 128K X 8 DUAL-PORT SRAM, 20 ns, PQFP100
封裝： 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-100
文件頁數(shù)： 3/17頁
文件大?。?/td> 143K
代理商： IDT7009L20PF
6.42
IDT7009L
High-Speed 128K x 8 Dual-Port Static RAM Industrial and Commercial Temperature Ranges
Left Port
Right Port
Names
CE
0L
, CE
1L
CE
0R
, CE
1R
Chip Enables
R/
W
L
R/
W
R
Read/Write Enable
OE
L
OE
R
Output Enable
A
0L
- A
16L
A
0R
- A
16R
Address
I/O
0L
- I/O
7L
I/O
0R
- I/O
7R
Data Input/Output
SEM
L
SEM
R
Semaphore Enable
INT
L
INT
R
Interrupt Flag
BUSY
L
BUSY
R
Busy Flag
M/
S
Master or Slave Select
V
CC
Power
GND
Ground
4839 tbl 01
NOTES:
1. This parameter is determned by device characterization but is not production
tested.
2. 3dV represents the interpolated capacitance when the input and output signals
switch from0V to 3V or from3V to 0V.
$ %&'(!%)*+,# $-./#
0*1
Symbol
#
NOTES:
1. Stresses greater than those listed under ABSOLUTE MAXIMUMRATINGS may
cause permanent damage to the device. This is a stress rating only and
functional operation of the device at these or any other conditions above those
indicated in the operational sections of this specification is not implied. Exposure
to absolute maximumrating conditions for extended periods may affect
reliability.
2. V
TERM
must not exceed Vcc + 10% for more than 25% of the cycle time or 10ns
maximum and is limted to < 20mA for the period of V
TERM
> Vcc + 10%.
NOTES:
1. V
IL
> -1.5V for pulse width less than 10ns.
2. V
TERM
must not exceed Vcc + 10%.
22.
2
NOTES:
1. Industrial Temperature: for specific speeds, packages and powers contact your
sales office.
2. This is the parameter T
A
. This is the "instant on" case temperature.
*1.$
23/4
#
Rating
Commercial
& Industrial
Mlitary
Unit
V
TERM
(2)
Termnal Voltage
wth Respect
to GND
-0.5 to +7.0
-0.5 to +7.0
V
T
BIAS
Temperature
Under Bias
-55 to +125
-65 to +135
o
C
T
STG
Storage
Temperature
-65 to +150
-65 to +150
o
C
I
OUT
DC Output Current
50
50
mA
4839 tbl 02
Grade
Ambient
Temperature
(2)
GND
Vcc
Mlitary
-55
O
C to +125
O
C
0V
5.0V
+
10%
Commercial
0
O
C to +70
O
C
0V
5.0V
+
10%
Industrial
-40
O
C to +85
O
C
0V
5.0V
+
10%
4839 tbl 03
Symbol
Parameter
Mn.
Typ.
Max.
Unit
V
CC
Supply Voltage
4.5
5.0
5.5
V
GND
Ground
0
0
0
V
V
IH
Input High Voltage
2.2
____
6.0
(2)
V
V
IL
Input Low Voltage
-0.5
(1)
____
0.8
V
4839 tbl 04
Symbol
Parameter
(1)
Conditions
(2)
Max.
Unit
C
IN
Input Capacitance
V
IN
= 3dV
9
pF
C
OUT
Output Capacitance
V
OUT
= 3dV
10
pF
4839 tbl 05
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT7009L20PFI USBF TV Field Memory Key 2048MB RAM Nickel RoHS Compliant: Yes
IDT7009 HIGH-SPEED 128K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM
IDT70121L25JG HIGH-SPEED 2K x 9 DUAL-PORT STATIC RAM WITH BUSY & INTERRUPT
IDT70121L25JGI HIGH-SPEED 2K x 9 DUAL-PORT STATIC RAM WITH BUSY & INTERRUPT
IDT70121L35JG HIGH-SPEED 2K x 9 DUAL-PORT STATIC RAM WITH BUSY & INTERRUPT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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IDT7009L20PFGI8 功能描述:IC SRAM 1MBIT 20NS 100TQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲(chǔ)容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8
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