參數(shù)資料
型號： IDP30E120
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： Fast Switching EmCon Diode
中文描述： 快速開關(guān)快恢復(fù)二極管
文件頁數(shù)： 3/9頁
文件大?。?/td> 212K
代理商： IDP30E120
2001-12-06
Page 3
IDP30E60
IDB30E60
Preliminary data
Electrical Characteristics
, at
T
j
= 25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol
Values
Unit
min.
typ.
max.
Dynamic Characteristics
Reverse recovery time
V
R
=400V,
I
F
=30A,
d
i
F
/d
t
=1000A/μs,
T
j
=25°C
V
R
=400V,
I
F
=30A,
d
i
F
/d
t
=1000A/μs,
T
j
=125°C
V
R
=400V,
I
F
=30A,
d
i
F
/d
t
=1000A/μs,
T
j
=150°C
Peak reverse current
t
rr
-
-
-
126
171
178
-
-
-
ns
V
R
=400V,
I
F
= 30A,
d
i
F
/d
t
=1000A/μs,
T
j
=25°C
V
R
=400V,
I
F
=30A,
d
i
F
/d
t
=1000A/μs,
T
j
=125°C
V
R
=400V,
I
F
=30A,
d
i
F
/d
t
=1000A/μs,
T
j
=150°C
I
rrm
-
-
-
19
22
24
-
-
-
A
Reverse recovery charge
V
R
=400V,
I
F
=30A,
d
i
F
/d
t
=1000A/μs,
T
j
=25°C
V
R
=400V,
I
F
=30A,
d
i
F
/d
t
=1000A/μs,
T
j
=125°C
V
R
=400V,
I
F
=30A,
d
i
F
/d
t
=1000A/μs,
T
j
=150°C
Q
rr
-
-
-
1100
1950
2150
-
-
-
nC
Reverse recovery softness factor
V
R
=400V,
I
F
=30A,
d
i
F
/d
t
=1000A/μs,
T
j
=25°C
V
R
=400V,
I
F
=30A,
d
i
F
/d
t
=1000A/μs,
T
j
=125°C
V
R
=400V,
I
F
=30A,
d
i
F
/d
t
=1000A/μs,
T
j
=150°C
S
-
-
-
4
4.6
4.8
-
-
-
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