參數(shù)資料
型號： ICS8545BGILFT
廠商： IDT, Integrated Device Technology Inc
文件頁數(shù)： 10/15頁
文件大?。?/td> 0K
描述： IC CLOCK BUFFER MUX 2:4 20-TSSOP
標準包裝： 2,500
系列： HiPerClockS™
類型： 扇出緩沖器（分配），多路復(fù)用器
電路數(shù)： 1
比率 - 輸入:輸出： 2:4
差分 - 輸入:輸出： 無/是
輸入： LVCMOS，LVTTL
輸出： LVDS
頻率 - 最大： 650MHz
電源電壓： 3.135 V ~ 3.465 V
工作溫度： -40°C ~ 85°C
安裝類型： 表面貼裝
封裝/外殼： 20-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）
供應(yīng)商設(shè)備封裝： 20-TSSOP
包裝： 帶卷 (TR)
其它名稱： 8545BGILFT
ICS8545I
LOW SKEW, 1-TO-4, LVCMOS/LVTTL-TO-LVDS FANOUT BUFFER
IDT / ICS LVDS FANOUT BUFFER
4
ICS8545BGI REV. B MARCH 02, 2009
Absolute Maximum Ratings
NOTE: Stresses beyond those listed under Absolute Maximum Ratings may cause permanent damage to the device.
These ratings are stress specifications only. Functional operation of product at these conditions or any conditions beyond
those listed in the DC Characteristics or AC Characteristics is not implied. Exposure to absolute maximum rating conditions for
extended periods may affect product reliability.
DC Electrical Characteristics
Table 4A. Power Supply DC Characteristics, VDD = 3.3V ± 5%, TA = -40°C to 85°C
Table 4B. LVCMOS/LVTTL DC Characteristics, VDD = 3.3V ± 5%, TA = -40°C to 85°C
Item
Rating
Supply Voltage, VDD
4.6V
Inputs, VI
-0.5V to VDD + 0.5V
Outputs, IO
Continuos Current
Surge Current
10mA
15mA
Package Thermal Impedance,
θ
JA
73.2
°C/W (0 lfpm)
Storage Temperature, TSTG
-65
°C to 150°C
Symbol
Parameter
Test Conditions
Minimum
Typical
Maximum
Units
VDD
Positive Supply Voltage
3.135
3.3
3.465
V
IDD
Power Supply Current
52
mA
Symbol
Parameter
Test Conditions
Minimum
Typical
Maximum
Units
VIH
Input High Voltage
2
VDD + 0.3
V
VIL
Input Low
Voltage
CLK1, CLK2
-0.3
1.3
V
OE, CLK_EN, CLK_SEL
-0.3
0.8
V
IIH
Input
High Current
CLK1, CLK2,
CLK_SEL
VDD = VIN = 3.465V
150
A
OE, CLK_EN
VDD = VIN = 3.465V
5A
IIL
Input
Low Current
CLK1, CLK2,
CLK_SEL
VDD = 3.465V, VIN = 0V
-5
A
OE, CLK_EN
VDD = 3.465V, VIN = 0V
-150
A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
ICS8545BGLFT IC CLOCK BUFFER MUX 2:4 20-TSSOP
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參數(shù)描述
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