- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄360717 > IC42S16800-7T(G) 4(2)M x 8(16) Bits x 4 Banks (128-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | IC42S16800-7T(G) |
| 英文描述： | 4(2)M x 8(16) Bits x 4 Banks (128-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| 中文描述： | 4（2）M中的x 8（16）位× 4銀行（128 - Mbit的）同步動態(tài)RAM |
| 文件頁數(shù)： | 9/69頁 |
| 文件大?。?/td> | 1118K |
| 代理商： | IC42S16800-7T(G) |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁當(dāng)前第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁
IC42S81600/IC42S81600L
IC42S16800/IC42S16800L
Integrated Circuit Solution Inc.
DR023-0E 6/11/2004
9
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(At V
DD
= V
DDQ
= 3.3 ± 0.3V, V
SS
= V
SSQ
= 0V , unless otherwise note
d
)
-6
-7
-8
Symbol
Parameter
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
Units
t
CK
3
t
CK
2
t
AC
3
t
AC
2
t
CH
t
CL
t
CKE
t
CKH
t
AS
t
AH
t
CMS
t
CMH
t
DS
t
DH
t
OH
3
t
OH
2
t
LZ
t
HZ
t
RC
t
RAS
t
RCD
t
RP
t
RRD
t
T
t
RSC
t
PDE
t
SRX
t
DPL
t
DAL
t
REF
CLK Cycle Time
CL= 3
CL= 2
CL= 3
CL= 2
6
—
—
5.4
5.4
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
5.4
—
100K
—
—
—
10
—
—
—
—
—
64
7.5
10
—
—
2.5
2.5
1.5
0.8
1.5
0.8
1.5
0.8
1.5
0.8
2.7
3
0
2.7
67.5
45
20
20
15
1
15
7.5
7.5
15
35
—
—
—
5.4
6
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
5.4
—
100K
—
—
—
10
—
—
—
—
—
64
8
10
—
—
3
3
2
1
2
1
2
1
2
1
3
3
0
3
70
50
20
20
20
1
20
10
10
16
36
—
—
—
6
6
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
6
—
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
7.5
—
—
2.5
2.5
1.5
0.8
1.5
0.8
1.5
0.8
1.5
0.8
2.7
2.7
0
2.7
60.0
42
18
15
12
1
12
6
6
12
27
—
CLK to valid output delay
(1)
CLK high pulse width
CLK low pulse width
CKE setup time
CKE hold time
Address setup time
Address hold time
Command setup time
Command hold time
Data input setup time
Data input hold time
Output data hold time
(1)
CL= 3
CL= 2
CLK to output in low - Z
CLK to output in H - Z
ROW cycle time
ROW active time
RAS
to
CAS
delay
Row precharge time
Row active to active delay
Transition time
Mode reg. set cycle
Power down exit setup time
Self refresh exit time
Data in to Precharge
Data in to Active/Refresh Delay Time
Refresh Time
100K
—
—
—
10
—
—
—
—
—
64
Notes:
1.
if clock rising time is longer than 1ns, (tr/2-0.5ns) should be added to the parameter.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IC42S16800-7TI(G) | 4(2)M x 8(16) Bits x 4 Banks (128-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IC42S16800L-7TI(G) | 4(2)M x 8(16) Bits x 4 Banks (128-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IC42S16800-8TI(G) | 4(2)M x 8(16) Bits x 4 Banks (128-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IC42S16800L-8TI(G) | 4(2)M x 8(16) Bits x 4 Banks (128-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IC42S16800-8TIG | ER 14C 14#16 SKT PLUG |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IC42S16800-7TI | 制造商:ICSI 制造商全稱:Integrated Circuit Solution Inc 功能描述:4(2)M x 8(16) Bits x 4 Banks (128-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IC42S16800-7TI(G) | 制造商:ICSI 制造商全稱:Integrated Circuit Solution Inc 功能描述:4(2)M x 8(16) Bits x 4 Banks (128-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IC42S16800-7TIG | 制造商:ICSI 制造商全稱:Integrated Circuit Solution Inc 功能描述:4(2)M x 8(16) Bits x 4 Banks (128-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IC42S16800-8T | 制造商:ICSI 制造商全稱:Integrated Circuit Solution Inc 功能描述:4(2)M x 8(16) Bits x 4 Banks (128-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IC42S16800-8T(G) | 制造商:ICSI 制造商全稱:Integrated Circuit Solution Inc 功能描述:4(2)M x 8(16) Bits x 4 Banks (128-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。