BSC052N03

配單專家企業(yè)名單

型號
供應商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

BSC052N03LSATMA1
科創(chuàng)特電子（香港）有限公司
科創(chuàng)特電子（香港）有限公司
聯(lián)系人：柯
電話：0755-83014603
地址：深圳市福田區(qū)深南中路3006號佳和大廈B座907
5000
INFINEON
主營優(yōu)勢
19+
-
100%原裝正品★終端免費供樣★

BSC052N03LS
深圳市鵬威爾科技有限公司
深圳市鵬威爾科技有限公司
聯(lián)系人：胡慶偉
電話：13138879988
地址：深圳市寶安區(qū)新安街道翻身路117號富源商貿中心D棟601
15000
INF
ORIGONAL
16+
-
0.26432 USD,szpoweri...

2/3頁 40條/頁共118條
上一頁 1 2 3 下一頁

您是不是要找： BSC052N03LS BSC052N03LSATMA1 BSC052N03S G BSC052N08NS5ATMA1 BSC054N04NSGATMA1 BSC057N03LSGATMA1 BSC057N03MSGATMA1 BSC057N08NS3GATMA1 BSC059N03S G

BSC052N03 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

BSC052N03 技術參數(shù)

BSC050NE2LSATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 25V 39A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:25V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:39A（Ta），58A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:10.4nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:760pF @ 12V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:2.5W（Ta），28W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5 毫歐 @ 30A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:PG-TDSON-8 封裝/外殼:8-PowerTDFN 標準包裝:1 BSC050NE2LS 功能描述:MOSFET N-CH 25V 39A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:25V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:39A（Ta），58A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5 毫歐 @ 30A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:10.4nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:760pF @ 12V 功率 - 最大值:28W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TDSON-8 標準包裝:1 BSC050N04LSGATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 40V 85A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:18A（Ta），85A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5 毫歐 @ 50A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 27μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:47nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3700pF @ 20V 功率 - 最大值:57W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TDSON-8 標準包裝:1 BSC050N03MSGATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 30V 80A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:16A（Ta），80A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5 毫歐 @ 30A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:46nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3600pF @ 15V 功率 - 最大值:50W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TDSON-8 標準包裝:1 BSC050N03LSGATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 30V 80A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:18A（Ta），80A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5 毫歐 @ 30A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:35nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2800pF @ 15V 功率 - 最大值:50W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TDSON-8 標準包裝:1 BSC059N03ST BSC059N04LSGATMA1 BSC060N10NS3GATMA1 BSC060P03NS3E G BSC060P03NS3EGATMA1 BSC061N08NS5ATMA1 BSC065N06LS5ATMA1 BSC066N06NSATMA1 BSC067N06LS3GATMA1 BSC070N10NS3GATMA1 BSC070N10NS5ATMA1 BSC072N025S G BSC072N03LD G BSC072N03LDGATMA1 BSC072N08NS5ATMA1 BSC076N06NS3GATMA1 BSC077N12NS3GATMA1 BSC079N03LSCGATMA1