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BSC060P03NS3E G

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  • BSC060P03NS3E G
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  • 深圳市德力誠(chéng)信科技有限公司
    深圳市德力誠(chéng)信科技有限公司

    聯(lián)系人:王小姐

    電話:13305449939

    地址:上海市靜安區(qū)恒豐路568號(hào)恒匯國(guó)際大廈903室

  • 454892

  • INFINEON

  • con

  • 24+

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  • BSC060P03NS3E G
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  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號(hào))

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • INFINEON

  • NA

  • 最新批號(hào)

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  • 一級(jí)代理.原裝特價(jià)現(xiàn)貨!

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  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 0

  • 原廠封裝

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  • 16+/17+

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  • 百分百原裝正品假一賠十 電話010-62...

  • BSC060P03NS3E G
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  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 250000

  • INFINEON

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  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人:雷春艷

    電話:19129493934(手機(jī)優(yōu)先微信同號(hào))0755-83266697

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座2028室

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 21565

  • INFINEON

  • 1521+

  • -
  • 全新原裝現(xiàn)貨

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  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人:何芝

    電話:19129491934(手機(jī)優(yōu)先微信同號(hào))0755-82865099

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座2028室

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 3500

  • Infineon

  • SO8

  • 13+

  • -
  • Infineon一級(jí)代理,價(jià)優(yōu)

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  • 深圳市一線半導(dǎo)體有限公司
    深圳市一線半導(dǎo)體有限公司

    聯(lián)系人:謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐

    電話:0755-88608801多線17727932378

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北華強(qiáng)花園B9F

  • 11630

  • INFINEON

  • 原廠原裝

  • 18+

  • -
  • 原裝正品,優(yōu)勢(shì)供應(yīng)

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  • 1
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  • 功能描述
  • MOSFET P-Channel -30V MOSFET
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶體管極性
  • N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓
  • 650 V
  • 閘/源擊穿電壓
  • 25 V
  • 漏極連續(xù)電流
  • 130 A
  • 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通)
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作溫度
  • 安裝風(fēng)格
  • Through Hole
  • 封裝 / 箱體
  • Max247
  • 封裝
  • Tube
BSC060P03NS3E G 技術(shù)參數(shù)
  • BSC060N10NS3GATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):14.9A(Ta),90A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):6 毫歐 @ 50A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 90μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):68nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):4900pF @ 50V 功率 - 最大值:125W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:PG-TDSON-8 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSC059N04LSGATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 40V 73A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):40V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):16A(Ta),73A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):5.9 毫歐 @ 50A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2V @ 23μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):40nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):3200pF @ 20V 功率 - 最大值:50W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:PG-TDSON-8 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSC059N03ST 功能描述:MOSFET N-CH 30V 50A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):19A(Ta),89A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):5.5 毫歐 @ 50A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2V @ 35μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):21nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):2670pF @ 15V 功率 - 最大值:48W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應(yīng)商器件封裝:P-TDSON-8(5.15x6.15) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 BSC059N03S G 功能描述:MOSFET N-CH 30V 73A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):17.5A(Ta),73A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):5.5 毫歐 @ 50A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2V @ 35μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):21nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):2670pF @ 15V 功率 - 最大值:48W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:PG-TDSON-8 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSC057N08NS3GATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 80V 100A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):80V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):16A(Ta),100A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):5.7 毫歐 @ 50A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 73μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):56nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):3900pF @ 40V 功率 - 最大值:114W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:PG-TDSON-8 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSC072N03LDGATMA1 BSC072N08NS5ATMA1 BSC076N06NS3GATMA1 BSC077N12NS3GATMA1 BSC079N03LSCGATMA1 BSC079N03SG BSC079N10NSGATMA1 BSC080N03LSGATMA1 BSC080N03MSGATMA1 BSC080P03LS G BSC080P03LSGAUMA1 BSC082N10LSGATMA1 BSC084P03NS3 G BSC084P03NS3EGATMA1 BSC084P03NS3GATMA1 BSC085N025S G BSC0901NS BSC0901NSATMA1
配單專家

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