BSC030N03LSG

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說明
操作

BSC030N03LSG
深圳市貿(mào)盛微電子有限公司
深圳市貿(mào)盛微電子有限公司
聯(lián)系人：周先生
電話：0755-8220875218127068687
地址：深圳市羅湖區(qū)嘉賓路友誼大廈五棟3樓G
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
10000
infineon
11+
PSOP-8 QFN
-
進口原裝現(xiàn)貨

BSC030N03LSGATMA1
深圳市瑞斯特電子科技有限公司
深圳市瑞斯特電子科技有限公司
聯(lián)系人：楊銳鋒
電話：0755-8255091013189682405
地址：深圳福田區(qū)華強廣場二樓Q2B046
10000
INFINEON
-
高品質(zhì)！價格美麗！

BSC030N03LSGATMA1
科創(chuàng)特電子（香港）有限公司
科創(chuàng)特電子（香港）有限公司
聯(lián)系人：柯
電話：0755-83014603
地址：深圳市福田區(qū)深南中路3006號佳和大廈B座907
5000
INFINEON
主營優(yōu)勢
19+
-
100%原裝正品★終端免費供樣★

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制造商
Rochester Electronics LLC
功能描述
制造商
Infineon Technologies AG
功能描述
23 A, 30 V, 0.0047 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET

BSC030N03LSG 技術(shù)參數(shù)

BSC029N025S G 功能描述:MOSFET N-CH 25V 100A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:25V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:24A（Ta），100A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.9 毫歐 @ 50A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 80μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:41nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:5090pF @ 15V 功率 - 最大值:78W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:PG-TDSON-8 標準包裝:1 BSC028N06NSTATMA1 功能描述:DIFFERENTIATED MOSFETS 制造商:infineon technologies 系列:* 零件狀態(tài):在售標準包裝:5,000 BSC028N06NSATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 60V 23A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:23A（Ta），100A（Tc）驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.8V @ 50μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:37nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:2700pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:2.5W（Ta），83W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.8 毫歐 @ 50A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:PG-TDSON-8 封裝/外殼:8-PowerTDFN 標準包裝:1 BSC028N06NS 功能描述:MOSFET N-CH 60V 23A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:23A（Ta），100A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.8 毫歐 @ 50A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.8V @ 50μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:37nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2700pF @ 30V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:PG-TDSON-8 標準包裝:1 BSC028N06LS3GATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 60V 100A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:23A（Ta），100A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.8 毫歐 @ 50A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 93μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:175nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:13000pF @ 30V 功率 - 最大值:139W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:PG-TDSON-8 標準包裝:1 BSC032N04LSATMA1 BSC032NE2LSATMA1 BSC034N03LSGATMA1 BSC034N06NSATMA1 BSC035N04LSGATMA1 BSC035N10NS5ATMA1 BSC036NE7NS3GATMA1 BSC037N025S G BSC037N08NS5ATMA1 BSC039N06NS BSC039N06NSATMA1 BSC040N08NS5ATMA1 BSC040N10NS5ATMA1 BSC042N03LSGATMA1 BSC042N03MSGATMA1 BSC042N03S G BSC042N03ST BSC042NE7NS3GATMA1