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STP410N4F7AG

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  • 中山市翔美達(dá)電子科技有限公司
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  • 深圳市鵬威爾科技有限公司
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    聯(lián)系人:胡慶偉

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STP410N4F7AG 技術(shù)參數(shù)
  • STP40NF20 功能描述:MOSFET N-CH 200V 40A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):40A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):45 毫歐 @ 20A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):75nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):2500pF @ 25V 功率 - 最大值:160W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STP40NF12 功能描述:MOSFET N-CH 120V 40A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):120V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):40A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):32 毫歐 @ 20A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):80nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):1880pF @ 25V 功率 - 最大值:150W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STP40NF10L 功能描述:MOSFET N-CH 100V 40A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):40A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):33 毫歐 @ 20A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):64nC @ 5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):2300pF @ 25V 功率 - 最大值:150W 工作溫度:175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STP40NF10 功能描述:MOSFET N-CH 100V 50A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):50A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):28 毫歐 @ 25A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):62nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):2180pF @ 25V 功率 - 最大值:150W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STP40NF03L 功能描述:MOSFET N-CH 30V 40A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):40A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):22 毫歐 @ 20A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):15nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):770pF @ 25V 功率 - 最大值:70W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STP45NF3LL STP46NF30 STP4CMPQTR STP4LN80K5 STP4N150 STP4N52K3 STP4N62K3 STP4N80K5 STP4N90K5 STP4NB100 STP4NB50 STP4NB80 STP4NK50Z STP4NK50ZD STP4NK50ZFP STP4NK60Z STP4NK60ZFP STP4NK80Z
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