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SI2326DS-T1

配單專家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說(shuō)明
  • 操作
  • SI2326DS-T1-E3
    SI2326DS-T1-E3

    SI2326DS-T1-E3

  • 深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司
    深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司

    聯(lián)系人：吳經(jīng)理

    電話：18138401919

    地址：深圳市福田區(qū)賽格科技園4棟中7樓7B30

  • 69880

  • TY/臺(tái)灣半導(dǎo)體

  • SOT23-3

  • 2021+

  • -

  • ★★正規(guī)渠道★原廠正品最新貨源現(xiàn)貨供應(yīng)★...

  • SI2326DS-T1
    SI2326DS-T1

    SI2326DS-T1

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 20000

  • VISHAY

  • SOT23

  • 14+

  • -

  • 全新原裝，進(jìn)口現(xiàn)貨，準(zhǔn)時(shí)交貨，量大優(yōu)惠

  • SI2326DS-T1
    SI2326DS-T1

    SI2326DS-T1

  • 深圳市湘達(dá)電子有限公司
    深圳市湘達(dá)電子有限公司

    聯(lián)系人：朱平

    電話：0755-83229772-83202753

    地址：辦公地址 幫我改成 深圳市福田區(qū)紅荔路上步工業(yè)區(qū)201棟東座4樓F02室

  • 2611

  • SILICONIX

  • 原廠

  • 21+

  • -

  • 百分百進(jìn)口原裝現(xiàn)貨，價(jià)格有優(yōu)勢(shì)。

  • SI2326DS-T1-E3
    SI2326DS-T1-E3

    SI2326DS-T1-E3

  • 深圳市信通吉電子有限公司
    深圳市信通吉電子有限公司

    聯(lián)系人：馮

    電話：17841084408

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道深南中路3006號(hào)佳和大廈B座20

  • 58000

  • VISHAY

  • SOT23

  • 19+

  • -

  • 香港總公司18年專業(yè)電子元器件現(xiàn)貨供應(yīng)商

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共19條 
  • 1
SI2326DS-T1 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
SI2326DS-T1 技術(shù)參數(shù)
  • SI2304DS,215 功能描述:MOSFET N-CH 30V 1.7A SOT23 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:1.7A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:117 毫歐 @ 500mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:4.6nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:195pF @ 10V 功率 - 最大值:830mW 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23（TO-236AB） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 SI2302DS,215 功能描述:MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:2.5A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:85 毫歐 @ 3.6A，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:650mV @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:10nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:230pF @ 10V 功率 - 最大值:830mW 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23（TO-236AB） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 SI2196-A10-GMR 制造商:Silicon Laboratories Inc 功能描述:WORLDWIDE HYBRID ANALOG AND DIGITAL TV TUNER WITH ANALOG VID - Tape and Reel 制造商:Silicon Laboratories Inc 功能描述:IC ATV/DTV TUNER HYBRID 40-QFN SI2196-A10-GM 功能描述:IC ATV/DTV TUNER HYBRID 40-QFN RoHS:是 類別:RF/IF 和 RFID >> RF 接收器 系列:* 產(chǎn)品培訓(xùn)模塊:Lead (SnPb) Finish for COTS 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 09/Jan/2012 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 系列:* 頻率:850MHz ~ 2.175GHz 靈敏度:- 數(shù)據(jù)傳輸率 - 最大:- 調(diào)制或協(xié)議:- 應(yīng)用:* 電流 - 接收:* 數(shù)據(jù)接口:PCB，表面貼裝 存儲(chǔ)容量:- 天線連接器:PCB，表面貼裝 特點(diǎn):- 電源電壓:4.75 V ~ 5.25 V 工作溫度:0°C ~ 85°C 封裝/外殼:40-WFQFN 裸露焊盤 供應(yīng)商設(shè)備封裝:40-TQFN-EP（6x6） 包裝:托盤 SI2185-A10-GMR 制造商:Silicon Laboratories Inc 功能描述:HYBRID DIGITAL AND ANALOG TV RECEIVER FOR DVB-T/C, PAL/SECAM - Tape and Reel 制造商:Silicon Laboratories Inc 功能描述:IC ATV/DTV TUNER HYBRID 48-QFN SI2333DDS-T1-GE3 SI2333DS-T1-E3 SI2333DS-T1-GE3 SI2333-TP SI2334DS-T1-GE3 SI2335DS-T1-E3 SI2335DS-T1-GE3 SI2336DS-T1-GE3 SI2337DS-T1-E3 SI2337DS-T1-GE3 SI2338DS-T1-GE3 SI2341DS-T1-E3 SI2341DS-T1-GE3 SI2342DS-T1-GE3 SI2343CDS-T1-GE3 SI2343DS-T1 SI2343DS-T1-E3 SI2343DS-T1-GE3
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