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SI2335DS-T1-GE3

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
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  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
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  • 說明
  • 操作
  • SI2335DS-T1-GE3
    SI2335DS-T1-GE3

    SI2335DS-T1-GE3

  • 深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司
    深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司

    聯(lián)系人:吳經理

    電話:18138401919

    地址:深圳市福田區(qū)賽格科技園4棟中7樓7B30

  • 69880

  • TY/臺灣半導體

  • SOT23-3

  • 2021+

  • -
  • ★★正規(guī)渠道★原廠正品最新貨源現(xiàn)貨供應★...

  • SI2335DS-T1-GE3
    SI2335DS-T1-GE3

    SI2335DS-T1-GE3

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人:雷春艷

    電話:19129493934(手機優(yōu)先微信同號)0755-83266697

    地址:深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質:營業(yè)執(zhí)照

  • 15000

  • VISHAY

  • SOT23

  • 2014+

  • -
  • 全新原裝現(xiàn)貨

  • SI2335DS-T1-GE3
    SI2335DS-T1-GE3

    SI2335DS-T1-GE3

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • Vishay

  • SOT-23-3

  • 最新批號

  • -
  • 一級代理.原裝特價現(xiàn)貨!

  • SI2335DS-T1-GE3
    SI2335DS-T1-GE3

    SI2335DS-T1-GE3

  • 深圳市信通吉電子有限公司
    深圳市信通吉電子有限公司

    聯(lián)系人:

    電話:17841084408

    地址:深圳市福田區(qū)華強北街道深南中路3006號佳和大廈B座20

  • 58000

  • VISHAY

  • SOT23

  • 19+

  • -
  • 香港總公司18年專業(yè)電子元器件現(xiàn)貨供應商

  • 1/1頁 40條/頁 共22條 
  • 1
SI2335DS-T1-GE3 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • MOSFET 12V 4.0A 1.25W 51mohm @ 4.5V
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶體管極性
  • N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓
  • 650 V
  • 閘/源擊穿電壓
  • 25 V
  • 漏極連續(xù)電流
  • 130 A
  • 電阻汲極/源極 RDS(導通)
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作溫度
  • 安裝風格
  • Through Hole
  • 封裝 / 箱體
  • Max247
  • 封裝
  • Tube
SI2335DS-T1-GE3 技術參數(shù)
  • SI2304DS,215 功能描述:MOSFET N-CH 30V 1.7A SOT23 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):1.7A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):117 毫歐 @ 500mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):4.6nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):195pF @ 10V 功率 - 最大值:830mW 工作溫度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23(TO-236AB) 標準包裝:1 SI2302DS,215 功能描述:MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):2.5A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):85 毫歐 @ 3.6A,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):650mV @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):10nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):230pF @ 10V 功率 - 最大值:830mW 工作溫度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23(TO-236AB) 標準包裝:1 SI2196-A10-GMR 制造商:Silicon Laboratories Inc 功能描述:WORLDWIDE HYBRID ANALOG AND DIGITAL TV TUNER WITH ANALOG VID - Tape and Reel 制造商:Silicon Laboratories Inc 功能描述:IC ATV/DTV TUNER HYBRID 40-QFN SI2196-A10-GM 功能描述:IC ATV/DTV TUNER HYBRID 40-QFN RoHS:是 類別:RF/IF 和 RFID >> RF 接收器 系列:* 產品培訓模塊:Lead (SnPb) Finish for COTS 產品變化通告:Product Discontinuation 09/Jan/2012 標準包裝:50 系列:* 頻率:850MHz ~ 2.175GHz 靈敏度:- 數(shù)據傳輸率 - 最大:- 調制或協(xié)議:- 應用:* 電流 - 接收:* 數(shù)據接口:PCB,表面貼裝 存儲容量:- 天線連接器:PCB,表面貼裝 特點:- 電源電壓:4.75 V ~ 5.25 V 工作溫度:0°C ~ 85°C 封裝/外殼:40-WFQFN 裸露焊盤 供應商設備封裝:40-TQFN-EP(6x6) 包裝:托盤 SI2185-A10-GMR 制造商:Silicon Laboratories Inc 功能描述:HYBRID DIGITAL AND ANALOG TV RECEIVER FOR DVB-T/C, PAL/SECAM - Tape and Reel 制造商:Silicon Laboratories Inc 功能描述:IC ATV/DTV TUNER HYBRID 48-QFN SI2343DS-T1-E3 SI2343DS-T1-GE3 SI2347DS-T1-GE3 SI2351DS-T1-E3 SI2351DS-T1-GE3 SI2356DS-T1-GE3 SI2365EDS-T1-GE3 SI2366DS-T1-GE3 SI2367DS-T1-GE3 SI2369DS-T1-GE3 SI2371EDS-T1-GE3 SI2372DS-T1-GE3 SI2374DS-T1-GE3 SI2377EDS-T1-GE3 SI2392ADS-T1-GE3 SI2392DS-T1-GE3 SI2399DS-T1-GE3 SI2400-BS
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