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PMV65XP215

配單專家企業(yè)名單
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  • PMV65XP215
    PMV65XP215

    PMV65XP215

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯系人:雷春艷

    電話:19129493934(手機優(yōu)先微信同號)0755-83266697

    地址:深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質:營業(yè)執(zhí)照

  • 750

  • NXP

  • SOT-23

  • 13+

  • -
  • 全新原裝現貨

  • PMV65XP215
    PMV65XP215

    PMV65XP215

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質:營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • NXP

  • 原裝

  • 10+

  • -
  • 假一罰十,百分百原裝正品

  • PMV65XP215
    PMV65XP215

    PMV65XP215

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • NXP

  • SOT23

  • 最新批號

  • -
  • 一級代理.原裝特價現貨!

  • PMV65XP215
    PMV65XP215

    PMV65XP215

  • 深圳市柏新電子科技有限公司
    深圳市柏新電子科技有限公司

    聯系人:林小姐//方先生

    電話:0755-88377780010-58488628

    地址:深圳市福田區(qū)深南中路2070號電子科技大廈C座27E2 , 北京辦事處:北京海春路中發(fā)大廈60淀區(qū)知

  • 3000

  • PHI

  • 2012+

  • -
  • 只做原裝正品。

  • PMV65XP215
    PMV65XP215

    PMV65XP215

  • 深圳市澳億芯電子科技有限公司
    深圳市澳億芯電子科技有限公司

    聯系人:廖R

    電話:13163738578

    地址:龍崗區(qū)坂田五和大道山海大廈c 棟707

  • 11810

  • NEXPERIA

  • C08-場效應管

  • 2151

  • -
  • 1/1頁 40條/頁 共25條 
  • 1
PMV65XP215 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 制造商
  • NXP Semiconductors
  • 功能描述
  • MOSFET P-CH 20V 3.9A SOT-23
PMV65XP215 技術參數
  • PMV65XP,215 功能描述:MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT-23 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:P 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):2.8A(Ta) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):900mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):7.7nC @ 4.5V Vgs(最大值):±12V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):744pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散(最大值):480mW(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):74 毫歐 @ 2.8A,4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:TO-236AB(SOT23) 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 標準包裝:1 PMV65UNER 功能描述:MOSFET N-CH 20V 2.8A TO236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):2.8A(Ta) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):6nC @ 10V Vgs(最大值):±8V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):291pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散(最大值):490mW(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):73 毫歐 @ 2.8A, 4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:TO-236AB 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 標準包裝:1 PMV65UN,215 功能描述:MOSFET N-CH 20V 2A SOT-23 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):2A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):76 毫歐 @ 2A,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):3.9nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):183pF @ 10V 功率 - 最大值:310mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23(TO-236AB) 標準包裝:1 PMV65ENEAR 功能描述:MOSFET N-CH 20V TO-236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級,AEC-Q101 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):40V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):2.7A(Ta) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):6nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):160pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散(最大值):490mW(Ta), 6.25W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):75 毫歐 @ 2.7A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:TO-236AB(SOT23) 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 標準包裝:1 PMV60EN,215 功能描述:MOSFET N-CH 30V 4.7A SOT-23 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):4.7A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):55 毫歐 @ 2A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):9.4nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):350pF @ 30V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23(TO-236AB) 標準包裝:1 PMV6-8R-L PMV6-8R-X PMV6-P10-L PMV75UP,215 PMV90EN,215 PMV90ENER PMWD15UN,518 PMWD16UN,518 PMWD19UN,518 PMWD20XN,118 PMWD26UN,518 PMWD30UN,518 PMXB120EPE PMXB120EPEZ PMXB350UPE PMXB350UPEZ PMXB360ENEA PMXB360ENEAZ
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