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    CRZ13(TE85L，Q)

    配單專家企業(yè)名單
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    • 供應(yīng)商
    • 數(shù)量
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    • 封裝
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    • CRZ13(TE85L,Q)
      CRZ13(TE85L,Q)

      CRZ13(TE85L,Q)

    • 深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司
      深圳市億聯(lián)芯電子科技有限公司

      聯(lián)系人：吳經(jīng)理

      電話：18138401919

      地址：深圳市福田區(qū)賽格科技園四棟中6樓6K31

    • 69880

    • TOSHIBA/東芝

    • SOD-123F

    • 2021+

    • -

    • ★★正規(guī)渠道★原廠正品最新貨源現(xiàn)貨供應(yīng)★...

    • 1/1頁 40條/頁 共10條 
    • 1
    CRZ13(TE85L，Q) PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準
    • 功能描述
    • 穩(wěn)壓二極管 Diode Zener 13V .7W
    • RoHS
    • 否
    • 制造商
    • Vishay Semiconductors
    • 齊納電壓
    • 12 V
    • 電壓容差
    • 5 %
    • 電壓溫度系數(shù)
    • 0.075 % / K
    • 齊納電流
    • 功率耗散
    • 3 W
    • 最大反向漏泄電流
    • 3 uA
    • 最大齊納阻抗
    • 7 Ohms
    • 最大工作溫度
    • + 150 C
    • 安裝風格
    • SMD/SMT
    • 封裝 / 箱體
    • DO-214AC
    • 封裝
    • Reel
    CRZ13(TE85L，Q) 技術(shù)參數(shù)
    • CRZ12(TE85L,Q,M) 功能描述:X35 PB-F DIODE S-FLAT MOQ=3000 V 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:12V 容差:±10% 功率 - 最大值:700mW 阻抗（最大值）（Zzt）:30 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 8V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1V @ 200mA 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOD-123F 供應(yīng)商器件封裝:S-FLAT（1.6x3.5） 標準包裝:3,000 CRZ12(TE85L,Q) 功能描述:Zener Diode 12V 700mW ±10% Surface Mount S-FLAT (1.6x3.5) 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過期 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:12V 容差:±10% 功率 - 最大值:700mW 阻抗（最大值）（Zzt）:30 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 8V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 200mA 工作溫度:-40°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOD-123F 供應(yīng)商器件封裝:S-FLAT（1.6x3.5） 標準包裝:3,000 CRZ11(TE85L,Q,M) 功能描述:X35 PB-F DIODE S-FLAT MOQ=3000 V 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:11V 容差:±10% 功率 - 最大值:700mW 阻抗（最大值）（Zzt）:30 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 7V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1V @ 200mA 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOD-123F 供應(yīng)商器件封裝:S-FLAT（1.6x3.5） 標準包裝:3,000 CRZ11(TE85L,Q) 功能描述:Zener Diode 11V 700mW ±10% Surface Mount S-FLAT (1.6x3.5) 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過期 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:11V 容差:±10% 功率 - 最大值:700mW 阻抗（最大值）（Zzt）:30 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 7V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 200mA 工作溫度:-40°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOD-123F 供應(yīng)商器件封裝:S-FLAT（1.6x3.5） 標準包裝:3,000 CRZ10(TE85L,Q,M) 功能描述:X35 PB-F DIODE S-FLAT MOQ=3000 V 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:10V 容差:±10% 功率 - 最大值:700mW 阻抗（最大值）（Zzt）:30 Ohms 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 6V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1V @ 200mA 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOD-123F 供應(yīng)商器件封裝:S-FLAT（1.6x3.5） 標準包裝:3,000 CRZ24(TE85L,Q,M) CRZ27(TE85L,Q,M) CRZ30(TE85L,Q) CRZ30(TE85L,Q,M) CRZ33(TE85L,Q,M) CRZ36(TE85L,Q,M) CRZ39(TE85L,Q,M) CRZ43(TE85L,Q,M) CRZ47(TE85L,Q) CRZ47(TE85L,Q,M) CS 60 US CS/XMAS-6F CS00 CS00094AC-J5-DCC-32.7707 CS00094AC-J5-DCC-32.7707E CS00095AC-J1-DCC-32.7707 CS00095AC-J1-DCC-32.7707E CS00096AC-J1-18E-0032.7707
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