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CRZ18(TE85L,Q)

配單專(zhuān)家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說(shuō)明
  • 操作
  • CRZ18(TE85L,Q)
    CRZ18(TE85L,Q)

    CRZ18(TE85L,Q)

    優(yōu)勢(shì)
  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人:譚玉麗

    電話(huà):19129491949(手機(jī)優(yōu)先微信同號(hào))0755-83267816

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座2028室

  • 39125

  • sod123

  • toshiba

  • 1205+

  • -
  • ★★誠(chéng)信經(jīng)營(yíng),原盒原裝現(xiàn)貨庫(kù)存商★★

  • CRZ18(TE85L,Q)
    CRZ18(TE85L,Q)

    CRZ18(TE85L,Q)

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話(huà):010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 6000

  • TOSHIBA

  • SOD123

  • 15+

  • -
  • 原裝正品,假一罰十

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共17條 
  • 1
CRZ18(TE85L,Q) PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • 穩(wěn)壓二極管 Diode Zener 18V .7W
  • RoHS
  • 制造商
  • Vishay Semiconductors
  • 齊納電壓
  • 12 V
  • 電壓容差
  • 5 %
  • 電壓溫度系數(shù)
  • 0.075 % / K
  • 齊納電流
  • 功率耗散
  • 3 W
  • 最大反向漏泄電流
  • 3 uA
  • 最大齊納阻抗
  • 7 Ohms
  • 最大工作溫度
  • + 150 C
  • 安裝風(fēng)格
  • SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體
  • DO-214AC
  • 封裝
  • Reel
CRZ18(TE85L,Q) 技術(shù)參數(shù)
  • CRZ16(TE85L,Q,M) 功能描述:X35 PB-F DIODE S-FLAT MOQ=3000 V 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納(標(biāo)稱(chēng)值)(Vz):16V 容差:±10% 功率 - 最大值:700mW 阻抗(最大值)(Zzt):30 Ohms 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:10μA @ 11V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf:1V @ 200mA 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:SOD-123F 供應(yīng)商器件封裝:S-FLAT(1.6x3.5) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 CRZ16(TE85L,Q) 功能描述:Zener Diode 16V 700mW ±10% Surface Mount S-FLAT (1.6x3.5) 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):停產(chǎn) 電壓 - 齊納(標(biāo)稱(chēng)值)(Vz):16V 容差:±10% 功率 - 最大值:700mW 阻抗(最大值)(Zzt):30 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:10μA @ 11V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):1V @ 200mA 工作溫度:-40°C ~ 150°C 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:SOD-123F 供應(yīng)商器件封裝:S-FLAT(1.6x3.5) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CRZ15(TE85L,Q,M) 功能描述:Zener Diode 15V 700mW ±10% Surface Mount S-FLAT (1.6x3.5) 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):停產(chǎn) 電壓 - 齊納(標(biāo)稱(chēng)值)(Vz):15V 容差:±10% 功率 - 最大值:700mW 阻抗(最大值)(Zzt):30 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:10μA @ 10V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):1V @ 200mA 工作溫度:-40°C ~ 150°C 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:SOD-123F 供應(yīng)商器件封裝:S-FLAT(1.6x3.5) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CRZ13(TE85L,Q,M) 功能描述:X35 PB-F DIODE S-FLAT MOQ=3000 V 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納(標(biāo)稱(chēng)值)(Vz):13V 容差:±10% 功率 - 最大值:700mW 阻抗(最大值)(Zzt):30 Ohms 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:10μA @ 9V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf:1V @ 200mA 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:SOD-123F 供應(yīng)商器件封裝:S-FLAT(1.6x3.5) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 CRZ12(TE85L,Q,M) 功能描述:X35 PB-F DIODE S-FLAT MOQ=3000 V 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納(標(biāo)稱(chēng)值)(Vz):12V 容差:±10% 功率 - 最大值:700mW 阻抗(最大值)(Zzt):30 Ohms 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:10μA @ 8V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf:1V @ 200mA 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:SOD-123F 供應(yīng)商器件封裝:S-FLAT(1.6x3.5) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 CRZ36(TE85L,Q,M) CRZ39(TE85L,Q,M) CRZ43(TE85L,Q,M) CRZ47(TE85L,Q) CRZ47(TE85L,Q,M) CS 60 US CS/XMAS-6F CS00 CS00094AC-J5-DCC-32.7707 CS00094AC-J5-DCC-32.7707E CS00095AC-J1-DCC-32.7707 CS00095AC-J1-DCC-32.7707E CS00096AC-J1-18E-0032.7707 CS00096AC-J1-18E-0032.7707E CS-00505 CS-00510 CS-00516 CS0068-000
配單專(zhuān)家

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