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BSC883N03MS G

配單專家企業(yè)名單

型號
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

BSC883N03MS G
深圳市歐和寧電子有限公司
深圳市歐和寧電子有限公司
聯(lián)系人：李先生
電話：0755-292759351581559886118576729816
地址：廣東省深圳市福田區(qū) 華強(qiáng)北賽格科技園6C18室
69800
INFINEON
近兩年生產(chǎn)
DFN-8
-
每一片都來自原廠

BSC883N03MS G
深圳市華芯源電子有限公司
深圳市華芯源電子有限公司
聯(lián)系人：張小姐
電話：1501927513013823545558
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)路華強(qiáng)廣場D座16層18B
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
8000
infineon/
DFN-85X6
23+
-
終端免費(fèi)提供樣品可開13%增值稅發(fā)票

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功能描述
MOSFET N-KANAL POWER MOS
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
650 V
閘/源擊穿電壓
25 V
漏極連續(xù)電流
130 A
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
安裝風(fēng)格
Through Hole
封裝 / 箱體
Max247
封裝
Tube

BSC883N03MS G 技術(shù)參數(shù)

BSC883N03LSGATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 34V 17A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:34V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:17A（Ta），98A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3.8 毫歐 @ 30A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:34nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2800pF @ 15V 功率 - 最大值:57W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:PG-TDSON-8 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSC882N03MSGATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 34V 22A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:34V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:22A（Ta），100A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.6 毫歐 @ 30A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:55nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4300pF @ 15V 功率 - 最大值:69W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:PG-TDSON-8 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSC882N03LSGATMA1 功能描述:MOSFET N-CH TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:* 零件狀態(tài):有效標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSC750N10NDGATMA1 功能描述:MOSFET 2N-CH 100V 3.2A 8TDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):在售 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:3.2A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:75 毫歐 @ 13A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 12μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:11nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:720pF @ 50V 功率 - 最大值:26W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應(yīng)商器件封裝:PG-TDSON-8 基本零件編號:BSC750N10 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSC750N10ND G 功能描述:MOSFET 2N-CH 100V 3.2A 8TDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:3.2A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:75 毫歐 @ 13A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 12μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:11nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:720pF @ 50V 功率 - 最大值:26W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應(yīng)商器件封裝:PG-TDSON-8（5.15x6.15）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSC9131NJN7HHHB BSC9131NLE7HHHB BSC9131NLN1HHHB BSC9131NSE7KHKB BSC9131NSN1KHKB BSC9131NSN7KHKB BSC9131NXE7KHKB BSC9131NXN1KHKB BSC9131NXN7KHKB BSC9132NSE7KNKB BSC9132NSE7MNMB BSC9132NSN7KNKB BSC9132NSN7MNMB BSC9132NXE7KNKB BSC9132NXE7MNMB BSC9132NXN7KNKB BSC9132NXN7MNMB BS-COVER