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BSC883N03LSGATMA1

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  • BSC883N03LSGATMA1
    BSC883N03LSGATMA1

    BSC883N03LSGATMA1

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • INFINEON

  • 原廠封裝

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  • BSC883N03LSGATMA1
    BSC883N03LSGATMA1

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  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 0

  • 原廠封裝

  • 10000

  • 16+/17+

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  • 百分百原裝正品假一賠十 電話010-62...

  • BSC883N03LSGATMA1
    BSC883N03LSGATMA1

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  • 深圳市澳億芯電子科技有限公司
    深圳市澳億芯電子科技有限公司

    聯(lián)系人:廖R

    電話:13163738578

    地址:龍崗區(qū)坂田五和大道山海大廈c 棟707

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  • C72-晶體管

  • -
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    BSC883N03LSGATMA1

    BSC883N03LSGATMA1

  • 科創(chuàng)特電子(香港)有限公司
    科創(chuàng)特電子(香港)有限公司

    聯(lián)系人:

    電話:0755-83014603

    地址:深圳市福田區(qū)深南中路3006號佳和大廈B座907

  • 5000

  • INFINEON

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  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • Trans MOSFET N-CH 34V 17A 8-Pin TDSON EP
  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • N-KANAL POWER MOS - Tape and Reel
  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 30V 98A TDSON-8
BSC883N03LSGATMA1 技術(shù)參數(shù)
  • BSC882N03MSGATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 34V 22A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):34V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):22A(Ta),100A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):2.6 毫歐 @ 30A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):55nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):4300pF @ 15V 功率 - 最大值:69W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應(yīng)商器件封裝:PG-TDSON-8 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSC882N03LSGATMA1 功能描述:MOSFET N-CH TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:* 零件狀態(tài):有效 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSC750N10NDGATMA1 功能描述:MOSFET 2N-CH 100V 3.2A 8TDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:2 個 N 溝道(雙) FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):3.2A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):75 毫歐 @ 13A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 12μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):11nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):720pF @ 50V 功率 - 最大值:26W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應(yīng)商器件封裝:PG-TDSON-8 基本零件編號:BSC750N10 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSC750N10ND G 功能描述:MOSFET 2N-CH 100V 3.2A 8TDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個 N 溝道(雙) FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):3.2A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):75 毫歐 @ 13A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 12μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):11nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):720pF @ 50V 功率 - 最大值:26W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應(yīng)商器件封裝:PG-TDSON-8(5.15x6.15) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSC670N25NSFDATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 250V 24A 8TDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):250V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):24A(Tc) 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 90μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):30nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):2410pF @ 125V FET 功能:- 功率耗散(最大值):150W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):67 毫歐 @ 24A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:PG-TDSON-8 封裝/外殼:8-PowerTDFN 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BSC9131NJN7HHHB BSC9131NLE7HHHB BSC9131NLN1HHHB BSC9131NSE7KHKB BSC9131NSN1KHKB BSC9131NSN7KHKB BSC9131NXE7KHKB BSC9131NXN1KHKB BSC9131NXN7KHKB BSC9132NSE7KNKB BSC9132NSE7MNMB BSC9132NSN7KNKB BSC9132NSN7MNMB BSC9132NXE7KNKB BSC9132NXE7MNMB BSC9132NXN7KNKB BSC9132NXN7MNMB BS-COVER
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