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APTGV50H60T3G

配單專家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說明
  • 操作
  • APTGV50H60T3G
    APTGV50H60T3G

    APTGV50H60T3G

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人：雷春艷

    電話：19129493934（手機(jī)優(yōu)先微信同號(hào)）0755-83266697

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座2028室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • MICROSEMI

  • 1521+

  • -

  • 全新原裝現(xiàn)貨

  • APTGV50H60T3G
    APTGV50H60T3G

    APTGV50H60T3G

  • 林沃田信息技術(shù)(深圳)有限公司
    林沃田信息技術(shù)(深圳)有限公司

    聯(lián)系人：岳先生 田小姐

    電話：0755-8278116013760181591

    地址：深圳市福田區(qū)福田街道福南社區(qū)深南中路 3037號(hào)南光捷佳大廈2906

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 60510

  • Microsemi Corporation

  • IGBT NPT BST CHOP FU

  • 22+

  • -

  • 1/1頁 40條/頁 共11條 
  • 1
APTGV50H60T3G PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • IGBT NPT BST CHOP FULL BRDG SP3
  • RoHS
  • 是
  • 類別
  • 半導(dǎo)體模塊 >> IGBT
  • 系列
  • -
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 10
  • 系列
  • GenX3™
  • IGBT 類型
  • PT
  • 配置
  • 單一
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）
  • 600V
  • Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）
  • 1.4V @ 15V，100A
  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大）
  • 430A
  • 電流 - 集電極截止（最大）
  • 100µA
  • Vce 時(shí)的輸入電容 (Cies)
  • 31nF @ 25V
  • 功率 - 最大
  • 1000W
  • 輸入
  • 標(biāo)準(zhǔn)
  • NTC 熱敏電阻
  • 無
  • 安裝類型
  • 底座安裝
  • 封裝/外殼
  • SOT-227-4，miniBLOC
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝
  • SOT-227B
APTGV50H60T3G 技術(shù)參數(shù)
  • APTGV50H60BG 功能描述:IGBT Module NPT, Trench Field Stop Boost Chopper, Full Bridge 600V 80A 176W Chassis Mount SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):Not For New Designs IGBT 類型:NPT，溝槽型場(chǎng)截止 配置:升壓斬波器，全橋 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:80A 功率 - 最大值:176W 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:1.9V @ 15V，50A 電流 - 集電極截止（最大值）:250μA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容（Cies）:3.15nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP4 供應(yīng)商器件封裝:SP4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTGV50H120T3G 功能描述:IGBT Module NPT, Trench Field Stop Full Bridge Inverter 1200V 75A 270W Chassis Mount SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):Not For New Designs IGBT 類型:NPT，溝槽型場(chǎng)截止 配置:全橋反相器 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:75A 功率 - 最大值:270W 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.1V @ 15V，50A 電流 - 集電極截止（最大值）:250μA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容（Cies）:3.6nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:是 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP3 供應(yīng)商器件封裝:SP3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTGV50H120BTPG 功能描述:IGBT Module NPT, Trench Field Stop Boost Chopper, Full Bridge 1200V 75A 270W Chassis Mount SP6-P 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):Not For New Designs IGBT 類型:NPT，溝槽型場(chǎng)截止 配置:升壓斬波器，全橋 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:75A 功率 - 最大值:270W 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.1V @ 15V，50A 電流 - 集電極截止（最大值）:250μA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容（Cies）:3.6nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:是 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP6 供應(yīng)商器件封裝:SP6-P 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTGV30H60T3G 功能描述:IGBT Module NPT, Trench Field Stop Full Bridge Inverter 600V 50A 90W Chassis Mount SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):過期 IGBT 類型:NPT，溝槽型場(chǎng)截止 配置:全橋反相器 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:50A 功率 - 最大值:90W 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:1.9V @ 15V，30A 電流 - 集電極截止（最大值）:250μA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容（Cies）:1.6nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:是 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP3 供應(yīng)商器件封裝:SP3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTGV25H120T3G 功能描述:IGBT Module NPT, Trench Field Stop Full Bridge Inverter 1200V 40A 156W Chassis Mount SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):Not For New Designs IGBT 類型:NPT，溝槽型場(chǎng)截止 配置:全橋反相器 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:40A 功率 - 最大值:156W 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.1V @ 15V，25A 電流 - 集電極截止（最大值）:250μA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容（Cies）:1.8nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:是 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP3 供應(yīng)商器件封裝:SP3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTH012A0X43-SRZ APTH020A0X3-SRZ APTH020A0X43-SRZ APTJC120AM13VCT1AG APTJC120AM25VCT1AG APTK2012RWC/Z-F01 APTL3216CGCK APTL3216PBC/A APTL3216QBC/D APTL3216SECK APTL3216SURCK APTL3216SYCK APTL3216SYCK01 APTL3216ZGC APTL3216ZGCK APTLGF300A1208G APTLGF350A608G APTLGL325A1208G
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免責(zé)聲明：以上所展示的APTGV50H60T3G信息由會(huì)員自行提供，APTGV50H60T3G內(nèi)容的真實(shí)性、準(zhǔn)確性和合法性由發(fā)布會(huì)員負(fù)責(zé)。買賣IC網(wǎng)不承擔(dān)任何責(zé)任。

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