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    APTC80A10SCTG

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    • APTC80A10SCTG
      APTC80A10SCTG

      APTC80A10SCTG

    • 深圳市思諾康科技有限公司
      深圳市思諾康科技有限公司

      聯(lián)系人:張小姐/Vivianvi

      電話:0755-83286481

      地址:坂田街道東坡路3號萬致天地商業(yè)中心(A塔)1棟一單元1602

    • 9900

    • Microchip Technology

    • SP4

    • 23+

    • -
    • 微芯專營優(yōu)勢產(chǎn)品

    • 1/1頁 40條/頁 共8條 
    • 1
    APTC80A10SCTG PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
    • 功能描述
    • MOSFET PWR MOD PHASE LEG SP4
    • RoHS
    • 類別
    • 半導(dǎo)體模塊 >> FET
    • 系列
    • -
    • 標準包裝
    • 10
    • 系列
    • *
    APTC80A10SCTG 技術(shù)參數(shù)
    • APTC60VDAM45T1G 功能描述:MOSFET 2N-CH 600V 49A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包裝:托盤 零件狀態(tài):在售 FET 類型:2 個 N 溝道(雙) FET 功能:超級結(jié) 漏源電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):49A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):45 毫歐 @ 24.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 3mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):150nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):7200pF @ 25V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP1 供應(yīng)商器件封裝:SP1 標準包裝:1 APTC60VDAM24T3G 功能描述:MOSFET 2N-CH 600V 95A SP3 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包裝:托盤 零件狀態(tài):在售 FET 類型:2 個 N 溝道(雙) FET 功能:超級結(jié) 漏源電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):95A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):24 毫歐 @ 47.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):300nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):14400pF @ 25V 功率 - 最大值:462W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP3 供應(yīng)商器件封裝:SP3 標準包裝:1 APTC60TDUM35PG 功能描述:MOSFET 6N-CH 600V 72A SP6-P 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:6 N-溝道(3 相橋) FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):72A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):35 毫歐 @ 72A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 5.4mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):518nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):14000pF @ 25V 功率 - 最大值:416W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP6 供應(yīng)商器件封裝:SP6-P 標準包裝:1 APTC60TAM35PG 功能描述:MOSFET 6N-CH 600V 72A SP6-P 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:6 N-溝道(3 相橋) FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):72A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):35 毫歐 @ 72A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 5.4mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):518nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):14000pF @ 25V 功率 - 最大值:416W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP6 供應(yīng)商器件封裝:SP6-P 標準包裝:1 APTC60TAM24TPG 功能描述:MOSFET 6N-CH 600V 95A SP6-P 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包裝:托盤 零件狀態(tài):有效 FET 類型:6 N-溝道(3 相橋) FET 功能:超級結(jié) 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):95A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):24 毫歐 @ 47.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):300nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):14400pF @ 25V 功率 - 最大值:462W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP6 供應(yīng)商器件封裝:SP6-P 標準包裝:1 APTC80H15T3G APTC80H29SCTG APTC80H29T1G APTC80H29T3G APTC80SK15T1G APTC80TA15PG APTC80TDU15PG APTC90AM602G APTC90AM60SCTG APTC90AM60T1G APTC90DAM60CT1G APTC90DAM60T1G APTC90DDA12T1G APTC90DSK12T1G APTC90H12SCTG APTC90H12T1G APTC90H12T2G APTC90HM60T3G
    配單專家

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