APTCFGP1VTR

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說明
操作

APTCFGP1VTR
北京首天偉業(yè)科技有限公司
北京首天偉業(yè)科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-621049316210489162104578
地址： 廣東省深圳市福田區(qū)華強北街道電子科技大廈C座23E
資質：營業(yè)執(zhí)照
5000
Apem Inc.
標準封裝
16+
-
假一罰十，百分百原裝正品

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您是不是要找： APTCFGP2VTR APTCFP1VTR APTCFP2VTR APTCLGTVTR APTCLGVTR APTCLVTR APTCV40H60CT1G APTCV50H60T3G APTCV60HM45BC20T3G

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功能描述
觸覺開關 SW TACT SPST 0.05A 12VDC
RoHS
否
制造商
C&K Components
工作力
2 N
執(zhí)行器
Round
電流額定值
50 mA
電壓額定值 DC
32 V
電壓額定值 AC
功率額定值
1 VA
接地端子
Yes
觸點形式
SPST-NO
開關功能
安裝風格
SMD/SMT
安裝方向
Right
晶體管管座高度
顏色
照明
Not Illuminated
照明顏色
封裝

APTCFGP1VTR 技術參數(shù)

APTC90TAM60TPG 功能描述:MOSFET 6N-CH 900V 59A SP6-P 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包裝:托盤零件狀態(tài):有效 FET 類型:6 N-溝道（3 相橋） FET 功能:超級結漏源極電壓（Vdss）:900V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:59A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:60 毫歐 @ 52A、 10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 6mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:540nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:13600pF @ 100V 功率 - 最大值:462W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP6 供應商器件封裝:SP6-P 標準包裝:1 APTC90SKM60T1G 功能描述:MOSFET N-CH 900V 59A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包裝:托盤零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:超級結漏源極電壓（Vdss）:900V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:59A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:60 毫歐 @ 52A、 10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 6mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:540nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:13600pF @ 100V 功率 - 最大值:462W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP1 供應商器件封裝:SP1 標準包裝:1 APTC90SKM60CT1G 功能描述:MOSFET N-CH 900V 59A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包裝:散裝零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:900V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:59A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 6mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:540nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:13600pF @ 100V FET 功能:超級結功率耗散（最大值）:462W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:60 毫歐 @ 52A、 10V 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝供應商器件封裝:SP1 封裝/外殼:SP1 標準包裝:1 APTC90HM60T3G 功能描述:MOSFET 4N-CH 900V 59A SP3 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包裝:托盤零件狀態(tài):有效 FET 類型:4 個 N 通道（H 橋） FET 功能:超級結漏源極電壓（Vdss）:900V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:59A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:60 毫歐 @ 52A、 10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 6mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:540nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:13600pF @ 100V 功率 - 最大值:462W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP3 供應商器件封裝:SP3 標準包裝:1 APTC90H12T2G 功能描述:MOSFET 4N-CH 900V 30A SP2 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包裝:托盤零件狀態(tài):有效 FET 類型:4 個 N 通道（H 橋） FET 功能:超級結漏源極電壓（Vdss）:900V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:30A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:120 毫歐 @ 26A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 3mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:270nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:6800pF @ 100V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP2 供應商器件封裝:SP2 標準包裝:1 APTCV60HM45BT3G APTCV60HM45RCT3G APTCV60HM45RT3G APTCV60HM70BT3G APTCV60HM70RT3G APTCV60TLM24T3G APTCV60TLM45T3G APTCV60TLM70T3G APTCV60TLM99T3G APTCV90TL12T3G APTD1608CGCK APTD1608LCGCK APTD1608LQBC/D APTD1608LSECK/J3-PF APTD1608LSECK/J4-PF APTD1608LSURCK APTD1608LSYCK APTD1608LSYCK/J3-PF