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APTCFGP1VTR

配單專家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說(shuō)明
  • 操作
  • APTCFGP1VTR
    APTCFGP1VTR

    APTCFGP1VTR

  • 北京首天偉業(yè)科技有限公司
    北京首天偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-621049316210489162104578

    地址： 廣東省深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道電子科技大廈C座23E

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • Apem Inc.

  • 標(biāo)準(zhǔn)封裝

  • 16+

  • -

  • 假一罰十，百分百原裝正品

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共3條 
  • 1
APTCFGP1VTR PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • 觸覺(jué)開(kāi)關(guān) SW TACT SPST 0.05A 12VDC
  • RoHS
  • 否
  • 制造商
  • C&K Components
  • 工作力
  • 2 N
  • 執(zhí)行器
  • Round
  • 電流額定值
  • 50 mA
  • 電壓額定值 DC
  • 32 V
  • 電壓額定值 AC
  • 功率額定值
  • 1 VA
  • 接地端子
  • Yes
  • 觸點(diǎn)形式
  • SPST-NO
  • 開(kāi)關(guān)功能
  • 安裝風(fēng)格
  • SMD/SMT
  • 安裝方向
  • Right
  • 晶體管管座高度
  • 顏色
  • 照明
  • Not Illuminated
  • 照明顏色
  • 封裝
APTCFGP1VTR 技術(shù)參數(shù)
  • APTC90TAM60TPG 功能描述:MOSFET 6N-CH 900V 59A SP6-P 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包裝:托盤(pán) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:6 N-溝道（3 相橋） FET 功能:超級(jí)結(jié) 漏源極電壓（Vdss）:900V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:59A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:60 毫歐 @ 52A、 10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 6mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:540nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:13600pF @ 100V 功率 - 最大值:462W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP6 供應(yīng)商器件封裝:SP6-P 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTC90SKM60T1G 功能描述:MOSFET N-CH 900V 59A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包裝:托盤(pán) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:超級(jí)結(jié) 漏源極電壓（Vdss）:900V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:59A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:60 毫歐 @ 52A、 10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 6mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:540nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:13600pF @ 100V 功率 - 最大值:462W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP1 供應(yīng)商器件封裝:SP1 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTC90SKM60CT1G 功能描述:MOSFET N-CH 900V 59A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:900V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:59A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 6mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:540nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:13600pF @ 100V FET 功能:超級(jí)結(jié) 功率耗散（最大值）:462W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:60 毫歐 @ 52A、 10V 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 供應(yīng)商器件封裝:SP1 封裝/外殼:SP1 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTC90HM60T3G 功能描述:MOSFET 4N-CH 900V 59A SP3 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包裝:托盤(pán) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:4 個(gè) N 通道（H 橋） FET 功能:超級(jí)結(jié) 漏源極電壓（Vdss）:900V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:59A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:60 毫歐 @ 52A、 10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 6mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:540nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:13600pF @ 100V 功率 - 最大值:462W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP3 供應(yīng)商器件封裝:SP3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTC90H12T2G 功能描述:MOSFET 4N-CH 900V 30A SP2 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包裝:托盤(pán) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:4 個(gè) N 通道（H 橋） FET 功能:超級(jí)結(jié) 漏源極電壓（Vdss）:900V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:30A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:120 毫歐 @ 26A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 3mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:270nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:6800pF @ 100V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP2 供應(yīng)商器件封裝:SP2 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTCV60HM45BT3G APTCV60HM45RCT3G APTCV60HM45RT3G APTCV60HM70BT3G APTCV60HM70RT3G APTCV60TLM24T3G APTCV60TLM45T3G APTCV60TLM70T3G APTCV60TLM99T3G APTCV90TL12T3G APTD1608CGCK APTD1608LCGCK APTD1608LQBC/D APTD1608LSECK/J3-PF APTD1608LSECK/J4-PF APTD1608LSURCK APTD1608LSYCK APTD1608LSYCK/J3-PF
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