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APTC60DDAM24T3

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  • 深圳市思諾康科技有限公司
    深圳市思諾康科技有限公司

    聯(lián)系人：張小姐/Vivianvi

    電話(huà)：0755-83276452

    地址：坂田坂雪崗大道中興路105號(hào)儒駿大廈5樓503室

  • 9900

  • Microchip Technology

  • SP3

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  • 微芯專(zhuān)營(yíng)優(yōu)勢(shì)產(chǎn)品

  • APTC60DDAM24T3G
    APTC60DDAM24T3G

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  • 深圳市瑞智芯科技有限公司
    深圳市瑞智芯科技有限公司

    聯(lián)系人：朱先生

    電話(huà)：0755-82999903

    地址：深圳市福田區(qū)中航路42號(hào)中航北苑大廈C座6C3

  • 1000

  • MICROCHIP

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  • 瑞智芯 只有原裝

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APTC60DDAM24T3 技術(shù)參數(shù)
  • APTC60DAM35T1G 功能描述:MOSFET N-CH 600V 72A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:72A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:35 毫歐 @ 72A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 5.4mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:518nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:14000pF @ 25V 功率 - 最大值:416W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:底座安裝 封裝/外殼:SP1 供應(yīng)商器件封裝:SP1 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTC60DAM24T1G 功能描述:MOSFET N-CH 600V 95A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:95A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:24 毫歐 @ 47.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 5mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:300nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:14400pF @ 25V 功率 - 最大值:462W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:底座安裝 封裝/外殼:SP1 供應(yīng)商器件封裝:SP1 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTC60DAM18CTG 功能描述:MOSFET N-CH 600V 143A SP4 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:143A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:18 毫歐 @ 71.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 4mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:1036nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:28000pF @ 25V 功率 - 最大值:833W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:底座安裝 封裝/外殼:SP4 供應(yīng)商器件封裝:SP4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTC60BBM24T3G 功能描述:MOSFET 2N-CH 600V 95A SP3F 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:2 個(gè) N 通道（半橋） FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:95A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:24 毫歐 @ 47.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 5mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:300nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:14400pF @ 25V 功率 - 最大值:462W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:* 封裝/外殼:SP3 供應(yīng)商器件封裝:SP3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTC60AM83BC1G 功能描述:MOSFET 3N-CH 600V 36A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包裝:托盤(pán) 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類(lèi)型:3 N 溝道（相角 + 升壓斬波電路） FET 功能:超級(jí)結(jié) 漏源電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:36A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:83 毫歐 @ 24.5A、 10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 3mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:250nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:7200pF @ 25V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:底座安裝 封裝/外殼:SP1 供應(yīng)商器件封裝:SP1 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTC60DSKM70T1G APTC60DSKM70T3G APTC60HM24T3G APTC60HM35T3G APTC60HM45SCTG APTC60HM45T1G APTC60HM70BT3G APTC60HM70RT3G APTC60HM70SCTG APTC60HM70T1G APTC60HM70T3G APTC60HM83FT2G APTC60SKM24CT1G APTC60SKM24T1G APTC60SKM35T1G APTC60TAM21SCTPAG APTC60TAM24TPG APTC60TAM35PG
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