APTC60DSKM45T1G

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制造商
Microsemi Corporation
功能描述
POWER MODULE - COOLMOS - Bulk
制造商
Microsemi Corporation
功能描述
MOD MOSFET 600V SP1
制造商
Microsemi Corporation
功能描述
SILICON CARBIDE/SILICON HYBRID MODULES

APTC60DSKM45T1G 技術(shù)參數(shù)

APTC60DSKM35T3G 功能描述:MOSFET 2N-CH 600V 72A SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個(gè) N 溝道（雙） FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:72A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:35 毫歐 @ 72A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 5.4mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:518nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:14000pF @ 25V 功率 - 最大值:416W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP3 供應(yīng)商器件封裝:SP3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTC60DSKM24T3G 功能描述:MOSFET 2N-CH 600V 95A SP3 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包裝:托盤零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 N 溝道（雙路降壓斬波器） FET 功能:超級結(jié) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:95A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:24 毫歐 @ 47.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 5mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:300nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:14400pF @ 25V 功率 - 最大值:462W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP3 供應(yīng)商器件封裝:SP3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTC60DHM24T3G 功能描述:MOSFET 2N-CH 600V 95A SP3 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包裝:托盤零件狀態(tài):在售 FET 類型:2 N 溝道（雙）非對稱型 FET 功能:超級結(jié) 漏源電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:95A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:24 毫歐 @ 47.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 5mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:300nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:14400pF @ 25V 功率 - 最大值:462W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP3 供應(yīng)商器件封裝:SP3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTC60DDAM70T3G 功能描述:MOSFET 2N-CH 600V 39A SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):過期 FET 類型:2 個(gè) N 溝道（雙） FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:39A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:70 毫歐 @ 39A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 2.7mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:259nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:7000pF @ 25V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP3 供應(yīng)商器件封裝:SP3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTC60DDAM70T1G 功能描述:MOSFET 2N-CH 600V 39A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:CoolMOS?? 包裝:托盤零件狀態(tài):在售 FET 類型:2 N 溝道（雙路降壓斬波器） FET 功能:邏輯電平門漏源電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:39A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:70 毫歐 @ 39A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 2.7mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:259nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:7000pF @ 25V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP1 供應(yīng)商器件封裝:SP1 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APTC60HM70T1G APTC60HM70T3G APTC60HM83FT2G APTC60SKM24CT1G APTC60SKM24T1G APTC60SKM35T1G APTC60TAM21SCTPAG APTC60TAM24TPG APTC60TAM35PG APTC60TDUM35PG APTC60VDAM24T3G APTC60VDAM45T1G APTC80A10SCTG APTC80A15SCTG APTC80A15T1G APTC80AM75SCG APTC80DA15T1G APTC80DDA15T3G