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APT75GN60BDQ2

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  • APT75GN60BDQ2G
    APT75GN60BDQ2G

    APT75GN60BDQ2G

  • 深圳市思諾康科技有限公司
    深圳市思諾康科技有限公司

    聯(lián)系人：張小姐/Vivianvi

    電話：0755-83276452

    地址：坂田坂雪崗大道中興路105號(hào)儒駿大廈5樓503室

  • 9900

  • Microchip Technology

  • TO-247-3

  • 23+

  • -

  • 微芯專營優(yōu)勢(shì)產(chǎn)品

  • APT75GN60BDQ2G
    APT75GN60BDQ2G

    APT75GN60BDQ2G

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • Microchip Technology

  • TO-247-3

  • 21+

  • -

  • 質(zhì)量保真，價(jià)格實(shí)惠，假一罰十

  • APT75GN60BDQ2G
    APT75GN60BDQ2G

    APT75GN60BDQ2G

  • 深圳市瑞智芯科技有限公司
    深圳市瑞智芯科技有限公司

    聯(lián)系人：朱先生

    電話：0755-82999903

    地址：深圳市福田區(qū)中航路42號(hào)中航北苑大廈C座6C3

  • 147

  • MICROCHIP

  • 19+

  • -

  • 瑞智芯 只有原裝

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  • 1
APT75GN60BDQ2 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
APT75GN60BDQ2 技術(shù)參數(shù)
  • APT75GN60B2DQ3G 功能描述:IGBT 600V 155A 536W Through Hole 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 IGBT 類型:- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:155A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):225A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:1.85V @ 15V，75A 功率 - 最大值:536W 開關(guān)能量:2500μJ（開），2140μJ（關(guān)） 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:485nC 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值:47ns/385ns 測(cè)試條件:400V，75A，1 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 封裝/外殼:TO-264-3，TO-264AA 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 APT75GN120LG 功能描述:IGBT Trench Field Stop 1200V 200A 833W Through Hole TO-264 [L] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:200A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):225A 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.1V @ 15V，75A 功率 - 最大值:833W 開關(guān)能量:8620μJ（開），11400μJ（關(guān)） 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 柵極電荷:425nC 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值:60ns/620ns 測(cè)試條件:800V，75A，1 歐姆，15V 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:- 封裝/外殼:TO-264-3，TO-264AA 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-264 [L] 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT75GN120JDQ3G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 124A 379W Chassis Mount ISOTOP? 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):停產(chǎn) IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止 配置:單一 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:124A 功率 - 最大值:379W 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.1V @ 15V，75A 電流 - 集電極截止（最大值）:200μA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容（Cies）:4.8nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:ISOTOP 供應(yīng)商器件封裝:ISOTOP? 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 APT75GN120JDQ3 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 124A 379W Chassis Mount ISOTOP? 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止 配置:單一 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:124A 功率 - 最大值:379W 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.1V @ 15V，75A 電流 - 集電極截止（最大值）:200μA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容（Cies）:4.8nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:ISOTOP 供應(yīng)商器件封裝:ISOTOP? 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 APT75GN120J 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 124A 379W Chassis Mount ISOTOP? 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):過期 IGBT 類型:溝槽型場(chǎng)截止 配置:單一 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:124A 功率 - 最大值:379W 不同?Vge，Ic 時(shí)的?Vce（on）:2.1V @ 15V，75A 電流 - 集電極截止（最大值）:100μA 不同?Vce 時(shí)的輸入電容（Cies）:4.8nF @ 25V 輸入:標(biāo)準(zhǔn) NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:ISOTOP 供應(yīng)商器件封裝:ISOTOP? 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 APT75M50L APT77N60BC6 APT77N60JC3 APT77N60SC6 APT7F100B APT7F120B APT7F80K APT7M120B APT7M120S APT8014JLL APT8018JN APT8020B2LLG APT8020JLL APT8020LFLLG APT8024B2LLG APT8024JLL APT8024LFLLG APT8024LLLG
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