AOT10N60L

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封裝
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價格
說明
操作

AOT10N60L
無錫固電半導體股份有限公司
無錫固電半導體股份有限公司
聯(lián)系人：劉小姐
電話：15961889150
地址：江蘇省無錫市新區(qū)新梅路68號
資質：營業(yè)執(zhí)照
1000
isc/固電半導體
TO-220
24+
-
國產品牌，替代進口

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功能描述
MOSFET N-CHANNEL 600V 10A TO220
制造商
alpha & omega semiconductor inc.
系列
-
包裝
管件
零件狀態(tài)
在售
FET 類型
N 溝道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
600V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）
10A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
4.5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）
40nC @ 10V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）
1600pF @ 25V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
250W（Tc）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）
750 毫歐 @ 5A，10V
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
TO-220
封裝/外殼
TO-220-3
標準包裝
1,000

AOT10N60L 技術參數

AOT10N60_001 功能描述:MOSFET N-CH 600V 10A TO-220 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:10A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:750 毫歐 @ 5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:40nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1600pF @ 25V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220-3 標準包裝:1 AOT10N60 功能描述:MOSFET N-CH 600V 10A TO-220 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:10A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:750 毫歐 @ 5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:40nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1600pF @ 25V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220 標準包裝:1,000 AOT10B65M2 功能描述:IGBT 650V 10A TO220 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:Alpha IGBT?? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:20A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):30A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2V @ 15V，10A 功率 - 最大值:150W 開關能量:180μJ（開），130μJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:24nC 25°C 時 Td（開/關）值:12ns/91ns 測試條件:400V，10A，30 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:262ns 封裝/外殼:TO-220-3 安裝類型:通孔供應商器件封裝:TO-220 標準包裝:1,000 AOT10B65M1 功能描述:IGBT 650V 10A TO220 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:Alpha IGBT?? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:20A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):30A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2V @ 15V，10A 功率 - 最大值:150W 開關能量:180μJ（開），130μJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:24nC 25°C 時 Td（開/關）值:12ns/91ns 測試條件:400V，10A，30 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:262ns 封裝/外殼:TO-220-3 安裝類型:通孔供應商器件封裝:TO-220 標準包裝:1,000 AOT10B60D 功能描述:IGBT 600V 20A 163W TO220 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:Alpha IGBT?? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 IGBT 類型:- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:20A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):40A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:1.8V @ 15V，10A 功率 - 最大值:163W 開關能量:260μJ（開），70μJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:17.4nC 25°C 時 Td（開/關）值:10ns/72ns 測試條件:400V，10A，30 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:105ns 封裝/外殼:TO-220-3 安裝類型:通孔供應商器件封裝:TO-220 標準包裝:1,000 AOT11N70 AOT11S60L AOT11S65L AOT12N30L AOT12N40L AOT12N50 AOT12N60 AOT12N60_001 AOT12N60FD AOT12N65 AOT12N65_001 AOT13N50 AOT1404L AOT14N50 AOT14N50FD AOT15B60D AOT15B65M1 AOT15S60L