AONS21321

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AONS21321
深圳市華創(chuàng)歐科技有限公司
深圳市華創(chuàng)歐科技有限公司
聯(lián)系人：朱先生
電話：2394575513590206539
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北上步工業(yè)區(qū)201棟4樓4A68-2室
30000
AOS
DFN
2022+
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原裝正品，公司現(xiàn)貨庫(kù)存假一罰十，電話：0...

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AONS21321 技術(shù)參數(shù)

AONR32314 功能描述:MOSFET N-CH 30V 30A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 零件狀態(tài):初步 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:17A（Ta），30A（Tc）驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.25V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:32nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:1420pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:4.1W（Ta），24W（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:8.7 毫歐 @ 17A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:8-DFN（3x3）封裝/外殼:8-SMD，扁平引線標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 AON7934 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 13A/15A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:2 個(gè) N 通道（半橋） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:13A，15A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:10.2 毫歐 @ 13A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:11nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:485pF @ 15V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-WDFN 裸露焊盤供應(yīng)商器件封裝:8-DFN-EP（3x3）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AON7932_101 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 6.6A/8.1A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期 FET 類型:2 個(gè) N 通道（半橋） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:6.6A，8.1A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:20 毫歐 @ 6.6A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:6.5nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:460pF @ 15V 功率 - 最大值:1.4W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-WDFN 裸露焊盤供應(yīng)商器件封裝:8-DFN（3x3）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AON7932 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 6.6A/8.1A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:2 個(gè) N 通道（半橋） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:6.6A，8.1A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:20 毫歐 @ 6.6A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:6.5nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:460pF @ 15V 功率 - 最大值:1.4W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-WDFN 裸露焊盤供應(yīng)商器件封裝:8-DFN-EP（3x3）標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AON7902 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 8A/13A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期 FET 類型:2 個(gè) N 通道（半橋） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:8A，13A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:21 毫歐 @ 8A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:11nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:710pF @ 15V 功率 - 最大值:1.8W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerWDFN 供應(yīng)商器件封裝:8-DFN-EP（3.3x3.3）標(biāo)準(zhǔn)包裝:5,000 AORN2001AT5 AORN2002AT5 AORN20-1AT5 AORN2-1AT5 AORN2492AT5 AORN25-1AT5 AORN4991AT5 AORN4992AT5 AORN50-1AT5 AORN5-1AT5 AOSD62666E AOT10B60D AOT10B65M1 AOT10B65M2 AOT10N60 AOT10N60_001 AOT10N60L AOT10N65