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AON3611_101

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AON3611_101 技術(shù)參數(shù)
  • AON3611 功能描述:MOSFET N/P-CH 30V 5A/6A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:N 和 P 溝道,共漏 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):5A,6A 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):50 毫歐 @ 5A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):10nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):170pF @ 15V 功率 - 最大值:2.1W,2.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SMD,扁平引線 供應(yīng)商器件封裝:8-DFN(2.9x2.3) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AON3419 功能描述:MOSFET P-CH 30V 10A DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):10A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):19 毫歐 @ 10A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):30nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):1040pF @ 15V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SMD,扁平引線 供應(yīng)商器件封裝:8-DFN(2.9x2.3) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 AON3414 功能描述:MOSFET NCH 30V 10.5A DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):10.5A(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):17 毫歐 @ 9A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):25nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):690pF @ 15V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SMD,扁平引線 供應(yīng)商器件封裝:8-DFN(2.9x2.3) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AON3402 功能描述:MOSFET N-CH 20V 12.6A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,1.8V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):12.6A(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):13 毫歐 @ 12A,4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):17.9nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):1810pF @ 10V 功率 - 最大值:3.1W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SMD,扁平引線 供應(yīng)商器件封裝:8-DFN(2.9x2.3) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 AON2880 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 7A DFN2X2 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:2 N 溝道(雙)共漏 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):7A 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):21.5 毫歐 @ 5A,4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):9nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):600pF @ 10V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-WFDFN 裸露焊盤 供應(yīng)商器件封裝:8-DFN-EP(2x2) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 AON4407_003 AON4407L AON4407L_002 AON4407L_003 AON4420 AON4421 AON4421_001 AON4605 AON4605_001 AON4605_002 AON4703 AON4705L AON4803 AON4807 AON4807_001 AON4807_101 AON5802A AON5802ALS
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