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AON6152

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  • AON6152A
    AON6152A

    AON6152A

  • 深圳市華創(chuàng)歐科技有限公司
    深圳市華創(chuàng)歐科技有限公司

    聯(lián)系人:朱先生

    電話:2394575513590206539

    地址:深圳市福田區(qū)華強北上步工業(yè)區(qū)201棟4樓4A68-2室

  • 38200

  • AOS

  • DFN5X6

  • 2023+

  • -
  • 原裝正品,公司現(xiàn)貨庫存假一罰十,電話:0...

  • 1/1頁 40條/頁 共5條 
  • 1
AON6152 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • MOSFET N-CHANNEL 45V 100A 8DFN
  • 制造商
  • alpha & omega semiconductor inc.
  • 系列
  • -
  • 零件狀態(tài)
  • 在售
  • FET 類型
  • N 溝道
  • 技術
  • MOSFET(金屬氧化物)
  • 漏源電壓(Vdss)
  • 45V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時)
  • 100A(Tc)
  • 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
  • 4.5V,10V
  • 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值)
  • 2.3V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值)
  • 125nC @ 10V
  • Vgs(最大值)
  • ±20V
  • 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值)
  • 8900pF @ 22.5V
  • FET 功能
  • -
  • 功率耗散(最大值)
  • 208W(Tc)
  • 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值)
  • 1.15 毫歐 @ 20A, 10V
  • 工作溫度
  • -55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 供應商器件封裝
  • 8-DFN(5x6)
  • 封裝/外殼
  • 8-PowerSMD,扁平引線
  • 標準包裝
  • 3,000
AON6152 技術參數(shù)
  • AON6144 功能描述:MOSFET N-CH 40V 100A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):40V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):100A(Tc) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):70nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):3780pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散(最大值):78W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):2.4 毫歐 @ 20A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:8-DFN(5x6) 封裝/外殼:8-PowerSMD,扁平引線 標準包裝:1 AON5820_101 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 10A 6DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:2 N 溝道(雙)共漏 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):10A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):9.5 毫歐 @ 10A,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):15nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1510pF @ 10V 功率 - 最大值:1.7W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-SMD,扁平引線裸焊盤 供應商器件封裝:6-DFN(2x5) 標準包裝:1 AON5820 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 10A 6DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 N 溝道(雙)共漏 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):10A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):9.5 毫歐 @ 10A,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):15nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1510pF @ 10V 功率 - 最大值:1.7W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-SMD,扁平引線裸焊盤 供應商器件封裝:6-DFN-EP(2x5) 標準包裝:5,000 AON5816 功能描述:MOSFET 2 N-CHANNEL 20V 12A 6DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 零件狀態(tài):在售 FET 類型:2 N 溝道(雙)共漏 FET 功能:標準 漏源電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):12A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):6.5 毫歐 @ 12A, 4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):35nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):2170pF @ 10V 功率 - 最大值:1.7W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-SMD,扁平引線裸焊盤 供應商器件封裝:6-DFN-EP(2x5) 標準包裝:5,000 AON5810 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 7.7A 6DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 N 溝道(雙)共漏 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):7.7A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):18 毫歐 @ 7.7A,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):13.1nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1360pF @ 10V 功率 - 最大值:1.6W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-SMD,扁平引線裸焊盤 供應商器件封裝:6-DFN-EP(2x5) 標準包裝:5,000 AON6220 AON6224 AON6226 AON6230 AON6232 AON6232A AON6234 AON6236 AON6240 AON6242 AON6244 AON6246 AON6248 AON6250 AON6260 AON6262E AON6264E AON6266
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