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ALD111910PAL

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  • ALD111910PAL
    ALD111910PAL

    ALD111910PAL

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人:雷春艷

    電話:19129493934(手機(jī)優(yōu)先微信同號)0755-83266697

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • ADVANCED

  • 1521+

  • -
  • 全新原裝現(xiàn)貨

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  • 1
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  • 功能描述
  • MOSFET Dual N-Ch FET EPAD Matched Pair Array
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶體管極性
  • N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓
  • 650 V
  • 閘/源擊穿電壓
  • 25 V
  • 漏極連續(xù)電流
  • 130 A
  • 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通)
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作溫度
  • 安裝風(fēng)格
  • Through Hole
  • 封裝 / 箱體
  • Max247
  • 封裝
  • Tube
ALD111910PAL 技術(shù)參數(shù)
  • ALD111910MAL 功能描述:MOSFET 2N-CH 8MSOP 制造商:advanced linear devices inc. 系列:- 包裝:- 零件狀態(tài):有效 FET 類型:- FET 功能:- 漏源極電壓(Vdss):- 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):- 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):- 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):- 功率 - 最大值:- 工作溫度:- 安裝類型:- 封裝/外殼:- 供應(yīng)商器件封裝:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 ALD1117SAL 功能描述:MOSFET 2P-CH 10.6V 8SOIC 制造商:advanced linear devices inc. 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 P 溝道(雙)配對 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):10.6V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):- 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1800 歐姆 @ 5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 1μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):3pF @ 5V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:0°C ~ 70°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應(yīng)商器件封裝:8-SOIC 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 ALD1117PAL 功能描述:MOSFET 2P-CH 10.6V 8DIP 制造商:advanced linear devices inc. 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 P 溝道(雙)配對 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):10.6V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):- 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1800 歐姆 @ 5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 1μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):3pF @ 5V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:0°C ~ 70°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:8-DIP(0.300",7.62mm) 供應(yīng)商器件封裝:8-PDIP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 ALD1116SAL 功能描述:MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC 制造商:advanced linear devices inc. 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 N 溝道(雙)配對 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):10.6V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):- 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):500 歐姆 @ 5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 1μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):3pF @ 5V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:0°C ~ 70°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應(yīng)商器件封裝:8-SOIC 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 ALD1116PAL 功能描述:MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP 制造商:advanced linear devices inc. 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 N 溝道(雙)配對 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):10.6V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):- 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):500 歐姆 @ 5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 1μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):3pF @ 5V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:0°C ~ 70°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:8-DIP(0.300",7.62mm) 供應(yīng)商器件封裝:8-PDIP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 ALD114813PCL ALD114813SCL ALD114835PCL ALD114835SCL ALD114904APAL ALD114904ASAL ALD114904PAL ALD114904SAL ALD114913PAL ALD114913SAL ALD114935PAL ALD114935SAL ALD118 ALD11G48-6L ALD11G48-L ALD11G48N-6L ALD11G48N-L ALD11G48N-SL
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