ALD111910MAL

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功能描述
MOSFET Dual N-Ch FET EPAD Matched Pair Array
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
650 V
閘/源擊穿電壓
25 V
漏極連續(xù)電流
130 A
電阻汲極/源極 RDS（導通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
安裝風格
Through Hole
封裝 / 箱體
Max247
封裝
Tube

ALD111910MAL 技術參數(shù)

ALD1117SAL 功能描述:MOSFET 2P-CH 10.6V 8SOIC 制造商:advanced linear devices inc. 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 P 溝道（雙）配對 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:10.6V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:- 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1800 歐姆 @ 5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 1μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3pF @ 5V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:0°C ~ 70°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝:8-SOIC 標準包裝:50 ALD1117PAL 功能描述:MOSFET 2P-CH 10.6V 8DIP 制造商:advanced linear devices inc. 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 P 溝道（雙）配對 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:10.6V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:- 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1800 歐姆 @ 5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 1μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3pF @ 5V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:0°C ~ 70°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm）供應商器件封裝:8-PDIP 標準包裝:50 ALD1116SAL 功能描述:MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC 制造商:advanced linear devices inc. 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 N 溝道（雙）配對 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:10.6V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:- 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:500 歐姆 @ 5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 1μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3pF @ 5V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:0°C ~ 70°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝:8-SOIC 標準包裝:50 ALD1116PAL 功能描述:MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP 制造商:advanced linear devices inc. 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 N 溝道（雙）配對 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:10.6V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:- 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:500 歐姆 @ 5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 1μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3pF @ 5V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:0°C ~ 70°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:8-DIP（0.300"，7.62mm）供應商器件封裝:8-PDIP 標準包裝:50 ALD1115SAL 功能描述:MOSFET N/P-CH 10.6V 8SOIC 制造商:advanced linear devices inc. 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:N 和 P 溝道互補型 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:10.6V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:- 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1800 歐姆 @ 5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 1μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3pF @ 5V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:0°C ~ 70°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝:8-SOIC 標準包裝:50 ALD114804SCL ALD114813PCL ALD114813SCL ALD114835PCL ALD114835SCL ALD114904APAL ALD114904ASAL ALD114904PAL ALD114904SAL ALD114913PAL ALD114913SAL ALD114935PAL ALD114935SAL ALD118 ALD11G48-6L ALD11G48-L ALD11G48N-6L ALD11G48N-L