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A2T18S166W12SR3

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A2T18S166W12SR3 技術參數
  • A2T18S165-12SR3 功能描述:AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO 制造商:nxp usa inc. 系列:- 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:LDMOS 頻率:1.805GHz ~ 1.995GHz 增益:18dB 電壓 - 測試:28V 額定電流:10μA 噪聲系數:- 電流 - 測試:800mA 功率 - 輸出:148W 電壓 - 額定:65V 封裝/外殼:NI-780S-2L2L 供應商器件封裝:NI-780S-2L2L 標準包裝:250 A2T18S162W31SR3 功能描述:RF Mosfet LDMOS 28V 1A 1.84GHz 20.1dB 32W NI-780S-2L2LA 制造商:freescale semiconductor - nxp 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:LDMOS 頻率:1.84GHz 增益:20.1dB 電壓 - 測試:28V 額定電流:- 噪聲系數:- 電流 - 測試:1A 功率 - 輸出:32W 電壓 - 額定:65V 封裝/外殼:NI-780S-2L2LA 供應商器件封裝:NI-780S-2L2LA 標準包裝:250 A2T18S162W31GSR3 功能描述:RF Mosfet LDMOS 28V 1A 1.84GHz 20.1dB 32W NI-780GS-2L2LA 制造商:freescale semiconductor - nxp 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:LDMOS 頻率:1.84GHz 增益:20.1dB 電壓 - 測試:28V 額定電流:- 噪聲系數:- 電流 - 測試:1A 功率 - 輸出:32W 電壓 - 額定:65V 封裝/外殼:NI-780GS-2L2LA 供應商器件封裝:NI-780GS-2L2LA 標準包裝:250 A2T18S160W31SR3 功能描述:RF Mosfet LDMOS 28V 1A 1.88GHz 19.9dB 32W NI-780S-2L2LA 制造商:freescale semiconductor - nxp 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:LDMOS 頻率:1.88GHz 增益:19.9dB 電壓 - 測試:28V 額定電流:- 噪聲系數:- 電流 - 測試:1A 功率 - 輸出:32W 電壓 - 額定:65V 封裝/外殼:NI-780S-2L2LA 供應商器件封裝:NI-780S-2L2LA 標準包裝:250 A2T18S160W31GSR3 功能描述:RF Mosfet LDMOS 28V 1A 1.88GHz 19.9dB 32W NI-780GS-2L2LA 制造商:freescale semiconductor - nxp 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:LDMOS 頻率:1.88GHz 增益:19.9dB 電壓 - 測試:28V 額定電流:- 噪聲系數:- 電流 - 測試:1A 功率 - 輸出:32W 電壓 - 額定:65V 封裝/外殼:NI-780GS-2L2LA 供應商器件封裝:NI-780GS-2L2LA 標準包裝:250 A2T21H360-23NR6 A2T21H360-24SR6 A2T21H410-24SR6 A2T21H450W19SR6 A2T21S160-12SR3 A2T21S260-12SR3 A2T21S260W12NR3 A2T23H160-24SR3 A2T23H200W23SR6 A2T23H300-24SR6 A2T26H160-24SR3 A2T26H165-24SR3 A2T26H300-24SR6 A2T27S007NT1 A2T27S020GNR1 A2T27S020NR1 A2V07H400-04NR3 A2V07H525-04NR6
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