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A2T18S261W12NR3

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價(jià)格
  • 說明
  • 操作
  • A2T18S261W12NR3
    A2T18S261W12NR3

    A2T18S261W12NR3

  • 林沃田信息技術(shù)(深圳)有限公司
    林沃田信息技術(shù)(深圳)有限公司

    聯(lián)系人：岳先生 田小姐

    電話：0755-8278116013760181591

    地址：深圳市福田區(qū)福田街道福南社區(qū)深南中路 3037號南光捷佳大廈2906

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 60510

  • NXP USA Inc.

  • AIRFAST RF POWER LDM

  • 22+

  • -

  • 1/1頁 40條/頁 共40條 
  • 1
A2T18S261W12NR3 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
  • 制造商
  • nxp usa inc.
  • 系列
  • -
  • 零件狀態(tài)
  • 在售
  • 晶體管類型
  • LDMOS
  • 頻率
  • 1.805GHz ~ 1.88GHz
  • 增益
  • 18.2dB
  • 電壓 - 測試
  • 28V
  • 額定電流
  • 10μA
  • 噪聲系數(shù)
  • -
  • 電流 - 測試
  • 1.5A
  • 功率 - 輸出
  • 280W
  • 電壓 - 額定
  • 65V
  • 封裝/外殼
  • OM-880X-2L2L
  • 供應(yīng)商器件封裝
  • OM-880X-2L2L
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 250
A2T18S261W12NR3 技術(shù)參數(shù)
  • A2T18S260W12NR3 功能描述:AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO 制造商:nxp usa inc. 系列:- 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:LDMOS 頻率:1.805GHz ~ 1.88GHz 增益:18.7dB 電壓 - 測試:28V 額定電流:10μA 噪聲系數(shù):- 電流 - 測試:1.5A 功率 - 輸出:280W 電壓 - 額定:65V 封裝/外殼:OM-880X-2L2L 供應(yīng)商器件封裝:OM-880X-2L2L 標(biāo)準(zhǔn)包裝:250 A2T18S260-12SR3 功能描述:AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO 制造商:nxp usa inc. 系列:- 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:LDMOS 頻率:1.805GHz ~ 1.995GHz 增益:18.9dB 電壓 - 測試:28V 額定電流:10μA 噪聲系數(shù):- 電流 - 測試:1.4A 功率 - 輸出:257W 電壓 - 額定:65V 封裝/外殼:NI-780S-2L2L 供應(yīng)商器件封裝:NI-780S-2L2L 標(biāo)準(zhǔn)包裝:250 A2T18S165-12SR3 功能描述:AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO 制造商:nxp usa inc. 系列:- 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:LDMOS 頻率:1.805GHz ~ 1.995GHz 增益:18dB 電壓 - 測試:28V 額定電流:10μA 噪聲系數(shù):- 電流 - 測試:800mA 功率 - 輸出:148W 電壓 - 額定:65V 封裝/外殼:NI-780S-2L2L 供應(yīng)商器件封裝:NI-780S-2L2L 標(biāo)準(zhǔn)包裝:250 A2T18S162W31SR3 功能描述:RF Mosfet LDMOS 28V 1A 1.84GHz 20.1dB 32W NI-780S-2L2LA 制造商:freescale semiconductor - nxp 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:LDMOS 頻率:1.84GHz 增益:20.1dB 電壓 - 測試:28V 額定電流:- 噪聲系數(shù):- 電流 - 測試:1A 功率 - 輸出:32W 電壓 - 額定:65V 封裝/外殼:NI-780S-2L2LA 供應(yīng)商器件封裝:NI-780S-2L2LA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:250 A2T18S162W31GSR3 功能描述:RF Mosfet LDMOS 28V 1A 1.84GHz 20.1dB 32W NI-780GS-2L2LA 制造商:freescale semiconductor - nxp 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:LDMOS 頻率:1.84GHz 增益:20.1dB 電壓 - 測試:28V 額定電流:- 噪聲系數(shù):- 電流 - 測試:1A 功率 - 輸出:32W 電壓 - 額定:65V 封裝/外殼:NI-780GS-2L2LA 供應(yīng)商器件封裝:NI-780GS-2L2LA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:250 A2T21H450W19SR6 A2T21S160-12SR3 A2T21S260-12SR3 A2T21S260W12NR3 A2T23H160-24SR3 A2T23H200W23SR6 A2T23H300-24SR6 A2T26H160-24SR3 A2T26H165-24SR3 A2T26H300-24SR6 A2T27S007NT1 A2T27S020GNR1 A2T27S020NR1 A2V07H400-04NR3 A2V07H525-04NR6 A2V09H300-04NR3 A2V09H400-04NR3 A2V09H525-04NR6
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