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2N4851

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  • 2N4851
    2N4851

    2N4851

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • MOT

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  • 假一罰十,百分百原裝正品

  • 2N4851
    2N4851

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  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

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  • 2N4851
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  • 深圳市時興宇電子有限公司
    深圳市時興宇電子有限公司

    聯(lián)系人:彭先生

    電話:0755-830415598397218513430523058

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北都會大廈A座19樓19G

  • 9331

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  • 12+

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  • 絕對公司原裝現(xiàn)貨

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  • 制造商
  • Motorola
  • 功能描述
  • 2N4851 MOT N3E7D
2N4851 技術(shù)參數(shù)
  • 2N4449UB 功能描述:NPN TRANSISTOR 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/317 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):- 電壓 - 集射極擊穿(最大值):20V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):450mV @ 10mA,100mA 電流 - 集電極截止(最大值):400nA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):20 @ 100mA,1V 功率 - 最大值:360mW 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:- 供應(yīng)商器件封裝:UB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2N4449 功能描述:TRANS NPN 20V TO46 制造商:microsemi ire division 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):- 電壓 - 集射極擊穿(最大值):20V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):450mV @ 10mA,100mA 電流 - 集電極截止(最大值):400nA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):20 @ 100mA,1V 功率 - 最大值:360mW 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-206AB,TO-46-3 金屬罐 供應(yīng)商器件封裝:TO-46(TO-206AB) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2N4427 功能描述:TRANS NPN 20V 0.4A TO-39 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):20V 頻率 - 躍遷:500MHz 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時的典型值):- 增益:10dB 功率 - 最大值:1W 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):10 @ 100mA,5V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):400mA 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-205AD,TO-39-3 金屬罐 供應(yīng)商器件封裝:TO-39 標(biāo)準(zhǔn)包裝:250 2N4424 功能描述:TRANS NPN 40V 0.5A TO-92 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):500mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):40V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):300mV @ 3mA,50mA 電流 - 集電極截止(最大值):30nA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):180 @ 2mA,4.5V 功率 - 最大值:625mW 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)主體(!--TO-226AA) 供應(yīng)商器件封裝:TO-92 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 2N4416-E3 功能描述:JFET N-CH 30V 0.3W TO-206AF 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):30V 漏源極電壓(Vdss):- 不同 Vds(Vgs=0)時的電流 - 漏極(Idss):5mA @ 15V 漏極電流(Id) - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關(guān)):3V @ 1nA 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):4pF @ 15V 電阻 - RDS(開):- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-206AF,TO-72-4 金屬罐 供應(yīng)商器件封裝:TO-206AF(TO-72) 功率 - 最大值:300mW 標(biāo)準(zhǔn)包裝:200 2N4857 2N4857JAN02 2N4857JTX02 2N4857JTXL02 2N4857JTXV02 2N4857UB 2N4858 2N4858A 2N4858JAN02 2N4858JTX02 2N4858JTXL02 2N4858JTXV02 2N4858UB 2N4859 2N4859A 2N4859JAN02 2N4859JTX02 2N4859JTXL02
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