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配單專家企業(yè)名單

型號(hào)
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號(hào)
價(jià)格
說明
操作

2N4865
深圳市思諾康科技有限公司
深圳市思諾康科技有限公司
聯(lián)系人：張小姐/Vivianvi
電話：0755-83276452
地址：坂田坂雪崗大道中興路105號(hào)儒駿大廈5樓503室
9900
Microchip Technology
-
23+
-
微芯專營優(yōu)勢(shì)產(chǎn)品

2N4865
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1008室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
3000
原廠品牌
標(biāo)準(zhǔn)封裝
13+
-

2N4865
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1008室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
3000
原廠品牌
標(biāo)準(zhǔn)封裝
13+
-
全新原裝100%正品保證質(zhì)量

2N4865
林沃田信息技術(shù)(深圳)有限公司
林沃田信息技術(shù)(深圳)有限公司
聯(lián)系人：岳先生田小姐
電話：0755-8278116013760181591
地址：深圳市福田區(qū)福田街道福南社區(qū)深南中路 3037號(hào)南光捷佳大廈2906
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
60510
Microsemi Corporation
NPN SILICON TRANSIST
22+
-

1/1頁 40條/頁共5條
1

您是不是要找： 2N4870 2N4871 2N4895 2N4898 2N4899 2N4900 2N4901 2N4903 2N4905

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制造商
Microsemi Corporation
功能描述
TRANS GP BJT NPN 80V 90A 3PIN TO-114 - Bulk

2N4865 技術(shù)參數(shù)

2N4864 功能描述:NPN SILICON TRANSISTOR 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件狀態(tài):在售標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2N4861JTXV02 功能描述:JFET N-CH 30V TO-206 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):生命周期結(jié)束 FET 類型:- 電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:- 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時(shí)的電流 - 漏極（Idss）:- 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時(shí)的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:- 電阻 - RDS（開）:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-206AA，TO-18-3 金屬罐供應(yīng)商器件封裝:TO-206AA（TO-18）功率 - 最大值:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:40 2N4861JTXL02 功能描述:JFET N-CH 30V TO-206 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:- 電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:- 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時(shí)的電流 - 漏極（Idss）:- 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時(shí)的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:- 電阻 - RDS（開）:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-206AA，TO-18-3 金屬罐供應(yīng)商器件封裝:TO-206AA（TO-18）功率 - 最大值:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:40 2N4861JTX02 功能描述:JFET N-CH 30V TO-206 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):生命周期結(jié)束 FET 類型:- 電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:- 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時(shí)的電流 - 漏極（Idss）:- 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時(shí)的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:- 電阻 - RDS（開）:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-206AA，TO-18-3 金屬罐供應(yīng)商器件封裝:TO-206AA（TO-18）功率 - 最大值:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:40 2N4861JAN02 功能描述:JFET N-CH 30V TO-206 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):生命周期結(jié)束 FET 類型:- 電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:- 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時(shí)的電流 - 漏極（Idss）:- 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時(shí)的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:- 電阻 - RDS（開）:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-206AA，TO-18-3 金屬罐供應(yīng)商器件封裝:TO-206AA（TO-18）功率 - 最大值:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 2N4906 2N4910 2N4911 2N4913 2N4914 2N4918 2N4918G 2N4919 2N4919G 2N4920G 2N4921 2N4921G 2N4922G 2N4923 2N4923G 2N4930 2N4931 2N4937