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1N4150-TR

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  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 856420

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  • 1N4150-TR
    1N4150-TR

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  • 深圳市悅興晨電子科技有限公司
    深圳市悅興晨電子科技有限公司

    聯(lián)系人:朱先生

    電話:0755-8281200482811605

    地址:深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)405棟607室 柜臺號新亞洲二期N2B227

  • 60268

  • Vishay

  • DO-35

  • 2023+

  • -
  • 原廠貨源品質保證假一罰十歡迎咨詢

  • 1/1頁 40條/頁 共3條 
  • 1
1N4150-TR PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 制造商
  • Vishay Angstrohm
  • 功能描述
  • Diode Small Signal Switching 50V 0.15A 2-Pin DO-35 T/R
  • 制造商
  • Vishay Semiconductors
  • 功能描述
  • SWITCHING DIODE, 50V, 200mA, DO-35; Diode Type
  • 制造商
  • Vishay
  • 功能描述
  • Diode Small Signal Switching 50V 0.15A 2-Pin DO-35 T/R
1N4150-TR 技術參數
  • 1N4150TR 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):50V 電流 - 平均整流(Io):200mA 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1V @ 200mA 速度:小信號 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢復時間(trr):6ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 50V 不同?Vr,F 時的電容:2.5pF @ 0V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 工作溫度 - 結:175°C(最大) 標準包裝:1 1N4150TAP 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 150MA DO35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:帶盒(TB) 零件狀態(tài):有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):50V 電流 - 平均整流(Io):150mA 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1V @ 200mA 速度:小信號 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢復時間(trr):4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 50V 不同?Vr,F 時的電容:2.5pF @ 0V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:10,000 1N4150-1 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):50V 電流 - 平均整流(Io):200mA 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1V @ 200mA 速度:小信號 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢復時間(trr):4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 50V 不同?Vr,F 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 工作溫度 - 結:-65°C ~ 175°C 標準包裝:1 1N4150_T50R 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過期 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):50V 電流 - 平均整流(Io):200mA 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1V @ 200mA 速度:小信號 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢復時間(trr):6ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 50V 不同?Vr,F 時的電容:2.5pF @ 0V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 工作溫度 - 結:175°C(最大) 標準包裝:30,000 1N4150_T50A 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶盒(TB) 零件狀態(tài):過期 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):50V 電流 - 平均整流(Io):200mA 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1V @ 200mA 速度:小信號 =< 200mA(Io),任意速度 反向恢復時間(trr):6ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 50V 不同?Vr,F 時的電容:2.5pF @ 0V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應商器件封裝:DO-35 工作溫度 - 結:175°C(最大) 標準包裝:5,000 1N4151 1N4151_T50R 1N4151TAP 1N4151TR 1N4151W-E3-08 1N4151W-E3-18 1N4151W-G3-08 1N4151W-G3-18 1N4151W-HE3-08 1N4151W-HE3-18 1N4151WS-E3-08 1N4151WS-E3-18 1N4151WS-G3-08 1N4151WS-G3-18 1N4151WS-HE3-08 1N4151WS-HE3-18 1N4152 1N4152_T50A
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