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1N4150W-E3-18

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  • 1N4150W-E3-18
    1N4150W-E3-18

    1N4150W-E3-18

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

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  • 原廠封裝

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  • 16+/17+

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  • 只做原裝正品 歡迎洽談 電話010-62...

  • 1N4150W-E3-18
    1N4150W-E3-18

    1N4150W-E3-18

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人：雷春艷

    電話：19129493934（手機優(yōu)先微信同號）0755-83266697

    地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • VISHAY

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  • 全新原裝現(xiàn)貨

  • 1N4150W-E3-18
    1N4150W-E3-18

    1N4150W-E3-18

  • 科創(chuàng)特電子（香港）有限公司
    科創(chuàng)特電子（香港）有限公司

    聯(lián)系人：柯

    電話：0755-83014603

    地址：深圳市福田區(qū)深南中路3006號佳和大廈B座907

  • 10000

  • GENERAL SEMICONDUCTOR (VI

  • 主營優(yōu)勢

  • 19+

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1N4150W-E3-18 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準(zhǔn)
  • 制造商
  • Vishay Siliconix
  • 功能描述
  • 1N4150W-E3-18 - Tape and Reel
  • 制造商
  • Vishay Intertechnologies
  • 功能描述
  • SWITCHING DIODE GENPURP SOD123
1N4150W-E3-18 技術(shù)參數(shù)
  • 1N4150W-E3-08 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 電流 - 平均整流（Io）:200mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 200mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢復(fù)時間（trr）:4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 50V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:2.5pF @ 0V，1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOD-123 供應(yīng)商器件封裝:SOD-123 工作溫度 - 結(jié):150°C（最大） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N4150UR-1/TR 功能描述:SWITCHING 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):在售 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 電流 - 平均整流（Io）:200mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1V @ 200mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢復(fù)時間（trr）:4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 50V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AA 供應(yīng)商器件封裝:DO-213AA 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 1N4150UR-1 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 200MA DO213AA 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 電流 - 平均整流（Io）:200mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 200mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢復(fù)時間（trr）:4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 50V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AA（玻璃） 供應(yīng)商器件封裝:DO-213AA 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N4150TR_S00Z 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35 制造商:on semiconductor 系列:- 零件狀態(tài):停產(chǎn) 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 電流 - 平均整流（Io）:200mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1V @ 200mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢復(fù)時間（trr）:6ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 50V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:2.5pF @ 0V，1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 工作溫度 - 結(jié):175°C（最大） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10,000 1N4150TR 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 電流 - 平均整流（Io）:200mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1V @ 200mA 速度:小信號 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢復(fù)時間（trr）:6ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:100nA @ 50V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:2.5pF @ 0V，1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 工作溫度 - 結(jié):175°C（最大） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 1N4151W-E3-18 1N4151W-G3-08 1N4151W-G3-18 1N4151W-HE3-08 1N4151W-HE3-18 1N4151WS-E3-08 1N4151WS-E3-18 1N4151WS-G3-08 1N4151WS-G3-18 1N4151WS-HE3-08 1N4151WS-HE3-18 1N4152 1N4152_T50A 1N4152_T50R 1N4152TR 1N4153 1N4153_T50R 1N4153-1
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