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IS43DR16320E-25DBLI-TR

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    IS43DR16320E-25DBLI-TR

    IS43DR16320E-25DBLI-TR

  • 深圳市佳斯泰科技有限公司
    深圳市佳斯泰科技有限公司

    聯(lián)系人：廖先生

    電話：13612973190

    地址：廣東省深圳市華強(qiáng)北上航大廈西座410室

  • 9000

  • ISSI

  • 84-TFBGA

  • 22+

  • -

  • 原廠渠道，現(xiàn)貨配單

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IS43DR16320E-25DBLI-TR 技術(shù)參數(shù)
  • IS43DR16320E-25DBLI 功能描述:IC SDRAM 512MBIT 400MHZ 84BGA 制造商:issi, integrated silicon solution inc 系列:- 包裝:托盤 零件狀態(tài):在售 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:DDR2 SDRAM 存儲容量:512M（32M x 16） 速度:400MHz 接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA） 封裝/外殼:84-TFBGA 供應(yīng)商器件封裝:84-TWBGA（8x12.5） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 IS43DR16320E-25DBL 功能描述:IC SDRAM 512MBIT 400MHZ 84BGA 制造商:issi, integrated silicon solution inc 系列:- 包裝:托盤 零件狀態(tài):在售 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:DDR2 SDRAM 存儲容量:512M（32M x 16） 速度:400MHz 接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 85°C（TC） 封裝/外殼:84-TFBGA 供應(yīng)商器件封裝:84-TWBGA（8x12.5） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 IS43DR16320C-3DBL-TR 功能描述:動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 512Mb, 1.8V, 333MHz 32M x 16 DDR2 RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube IS43DR16320C-3DBLI-TR 功能描述:動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 512Mb, 1.8V, 333MHz 32M x 16 DDR2 RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube IS43DR16320C-3DBLI 功能描述:動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 512Mb, 1.8V, 333MHz 32M x 16 DDR2 RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube IS43DR16640B-3DBI-TR IS43DR16640B-3DBL IS43DR16640B-3DBLI IS43DR16640B-3DBLI-TR IS43DR16640B-3DBL-TR IS43DR16640C-25DBL IS43DR16640C-25DBLI IS43DR16640C-25DBLI-TR IS43DR16640C-3DBI IS43DR16640C-3DBI-TR IS43DR16640C-3DBL IS43DR16640C-3DBLI IS43DR16640C-3DBLI-TR IS43DR81280A-3DBLI IS43DR81280B-25DBL IS43DR81280B-25DBLI IS43DR81280B-25DBLI-TR IS43DR81280B-25DBL-TR
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