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IS43DR16640C-3DBLI-TR

配單專家企業(yè)名單
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  • IS43DR16640C-3DBLI-TR
    IS43DR16640C-3DBLI-TR

    IS43DR16640C-3DBLI-TR

  • 萬三科技(深圳)有限公司
    萬三科技(深圳)有限公司

    聯(lián)系人:王小康

    電話:181886423070755-21006672

    地址:深圳市龍華區(qū)民治街道新牛社區(qū)金地梅隴鎮(zhèn)9棟4單元14C

  • 6500000

  • ISSI, Integrated Silicon

  • 原廠原裝

  • 22+

  • -
  • 萬三科技 秉承原裝 實單可議

  • IS43DR16640C-3DBLI-TR
    IS43DR16640C-3DBLI-TR

    IS43DR16640C-3DBLI-TR

  • 深圳市佳斯泰科技有限公司
    深圳市佳斯泰科技有限公司

    聯(lián)系人:廖先生

    電話:13612973190

    地址:廣東省深圳市華強北上航大廈西座410室

  • 9000

  • ISSI

  • 84-TFBGA

  • 22+

  • -
  • 原廠渠道,現(xiàn)貨配單

  • IS43DR16640C-3DBLI-TR
    IS43DR16640C-3DBLI-TR

    IS43DR16640C-3DBLI-TR

  • 深圳市華盛錦科技有限公司
    深圳市華盛錦科技有限公司

    聯(lián)系人:張先生/雷小姐

    電話:0755-8279802015814679726(承諾只售原裝正品,終端BOM配單一站式服務(wù))

    地址:華強街道賽格廣場55樓5566室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 38080

  • ISSI

  • 21+原廠授權(quán)

  • -
  • ★原廠授權(quán)★價超代理★

  • 1/1頁 40條/頁 共40條 
  • 1
IS43DR16640C-3DBLI-TR PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
IS43DR16640C-3DBLI-TR 技術(shù)參數(shù)
  • IS43DR16640C-3DBLI 功能描述:IC SDRAM 1GBIT 333MHZ 84BGA 制造商:issi, integrated silicon solution inc 系列:- 包裝:托盤 零件狀態(tài):在售 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:DDR2 SDRAM 存儲容量:1G(64M x 16) 速度:333MHz 接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) 封裝/外殼:84-TFBGA 供應(yīng)商器件封裝:84-TWBGA(8x12.5) 標準包裝:50 IS43DR16640C-3DBL 功能描述:IC SDRAM 1GBIT 333MHZ 84BGA 制造商:issi, integrated silicon solution inc 系列:- 包裝:托盤 零件狀態(tài):在售 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:DDR2 SDRAM 存儲容量:1G(64M x 16) 速度:333MHz 接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 85°C(TC) 封裝/外殼:84-TFBGA 供應(yīng)商器件封裝:84-TWBGA(8x12.5) 標準包裝:100 IS43DR16640C-25DBLI 功能描述:IC SDRAM 1GBIT 400MHZ 84BGA 制造商:issi, integrated silicon solution inc 系列:- 包裝:托盤 零件狀態(tài):在售 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:DDR2 SDRAM 存儲容量:1G(64M x 16) 速度:400MHz 接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) 封裝/外殼:84-TFBGA 供應(yīng)商器件封裝:84-TWBGA(8x12.5) 標準包裝:50 IS43DR16640C-25DBL 功能描述:IC SDRAM 1GBIT 400MHZ 84BGA 制造商:issi, integrated silicon solution inc 系列:- 包裝:托盤 零件狀態(tài):在售 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:DDR2 SDRAM 存儲容量:1G(64M x 16) 速度:400MHz 接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 85°C(TC) 封裝/外殼:84-TFBGA 供應(yīng)商器件封裝:84-TWBGA(8x12.5) 標準包裝:100 IS43DR16640B-3DBL-TR 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 1G (64Mx16) 333MHz DDR2 1.8v RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube IS43DR81280C-25DBL IS43DR81280C-25DBLI IS43DR81280C-25DBLI-TR IS43DR81280C-3DBL IS43DR81280C-3DBLI IS43DR81280C-3DBLI-TR IS43DR82560B-3DBLI IS43DR82560C-25DBL IS43DR82560C-25DBLI IS43DR82560C-25DBLI-TR IS43DR82560C-3DBL IS43DR82560C-3DBLI IS43DR82560C-3DBLI-TR IS43DR86400C-25DBL IS43DR86400C-25DBLI IS43DR86400C-25DBLI-TR IS43DR86400C-25DBL-TR IS43DR86400C-3DBI
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