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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HZU10G |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon Epitaxial Planar Zener Diode for Surge Absorb(用于浪涌電流吸收的平面外延齊納二極管) |
| 中文描述： | 硅外延平面齊納二極管浪涌吸收（用于浪涌電流吸收的平面外延齊納二極管） |
| 文件頁數(shù)： | 2/5頁 |
| 文件大小： | 32K |
| 代理商： | HZU10G |
HZU-G Series Series
2
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Item
Symbol
Value
Unit
Power dissipation
Pd
*1
200
mW
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature
Note:
1. See Fig2
Tstg
–55 to +150
°C
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)
Zener voltage
Reverse current
Dynamic
resistance
ESD-Capability
*2
V
Z
(V)
Min
*1
Test
Condition
I
R
(
μ
A)
I
Z
(mA)
5
Test
Condition
r
d
(
)
V
R
(V)
1.5
Test
Condition
— (kV)
*2
Type
Max
Max
Max
I
Z
(mA)
5
Min
HZU5.1G
4.84
5.37
5
130
30
HZU5.6G
5.31
5.92
5
5
2.5
80
5
30
HZU6.2G
5.86
6.53
5
2
3.0
50
5
30
HZU6.8G
6.47
7.14
5
2
3.5
30
5
30
HZU7.5G
7.06
7.84
5
2
4.0
30
5
30
HZU8.2G
7.76
8.64
5
2
5.0
30
5
30
HZU9.1G
8.56
9.55
5
2
6.0
30
5
30
HZU10G
Note:
9.45
10.55
5
2
7.0
30
5
30
1. Tested with pulse (Pw = 40ms).
2. C =150pF, R = 330
, Both forward and reverse direction 10 pulse
Failure criterion ; According to IR spec
Mark Code
Type
MarK No.
Type
Mark No.
HZU5.1G
51
HZU7.5G
75
HZU5.6G
56
HZU8.2G
82
HZU6.2G
62
HZU9.1G
91
HZU6.8G
68
HZU10G
10
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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