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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HZU_GSERIES |
| 文件頁數(shù)： | 2/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 62K |
| 代理商： | HZU_GSERIES |
HZU-G Series
Rev.1, Nov. 2001, page 2 of 5
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Item
Symbol
Value
Unit
Power dissipation
Pd
*
1
200
mW
Junction temperature
Tj
150
°C
Storage temperature
Tstg
–55 to +150
°C
Note:
1. See Fig2
Electrical Characteristics
(Ta = 25°C)
Zener voltage
Reverse current
Dynamic resistance
ESD-Capability
V
Z
(V)
Min
*
1
Test
Condition
I
R
(
μ
A)
Max
Test
Condition
r
d
(
)
V
R
(V)
1.5
Test
Condition
— (kV)
*
2
Type
Max
I
Z
(mA)
5
Max
I
Z
(mA)
5
Min
HZU5.1G
4.84
5.37
5
130
30
HZU5.6G
5.31
5.92
5
5
2.5
80
5
30
HZU6.2G
5.86
6.53
5
2
3.0
50
5
30
HZU6.8G
6.47
7.14
5
2
3.5
30
5
30
HZU7.5G
7.06
7.84
5
2
4.0
30
5
30
HZU8.2G
7.76
8.64
5
2
5.0
30
5
30
HZU9.1G
8.56
9.55
5
2
6.0
30
5
30
HZU10G
9.45
10.55
5
2
7.0
30
5
30
HZU12G
11.42
12.60
5
2
9.0
35
5
30
Notes: 1. Tested with pulse (Pw = 40 ms).
2. C =150 pF, R = 330
, Both forward and reverse direction 10 pulse
Failure criterion ; According to IR spec
Mark Code
Type
MarK No.
Type
Mark No.
HZU5.1G
51
HZU8.2G
82
HZU5.6G
56
HZU9.1G
91
HZU6.2G
62
HZU10G
10
HZU6.8G
68
HZU12G
12
HZU7.5G
75
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HZU-LLSERIES | |
| HZU10G | Silicon Epitaxial Planar Zener Diode for Surge Absorb(用于浪涌電流吸收的平面外延齊納二極管) |
| HZU4LL | Silicon Epitaxial Planar Zener Diodes for Hard Knee Low Noise(用于穩(wěn)壓的平面外延齊納二極管) |
| HZU3LL | Silicon Epitaxial Planar Zener Diodes for Hard Knee Low Noise(用于穩(wěn)壓的平面外延齊納二極管) |
| HZU2LL | Silicon Epitaxial Planar Zener Diodes for Hard Knee Low Noise(用于穩(wěn)壓的平面外延齊納二極管) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HZU-L | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon Planar Zener Diode for Low Noise Application |
| HZU-LL | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon Epitaxial Planar Zener Diode for Hard Knee Low Noise |
| HZU-LLSERIES | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述: |
| HZXSTAN200S | 制造商:Dialight 功能描述:STANCHION MT BOX, 2.00" SLIP |
| HZY-304BLACK | 制造商:Pro Elec 功能描述:9 LED Flashlights - Black |
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