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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HZS-NSERIES |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 5/9頁(yè) |
| 文件大小： | 38K |
| 代理商： | HZS-NSERIES |
HZS-N Series
Rev.0, Aug. 1993, page 5 of 9
Electrical Characteristics (cont)
(Ta = 25°C)
Zener Voltage
Reverse Current
Dynamic Resistance
V
Z
(V)
*
Min
Test
Condition
I
R
(
μ
A)
Max
Test
Condition
r
d
(
)
Max
Test
Condition
Type
Grade
Max
I
Z
(mA)
5
V
R
(V)
19
I
Z
(mA)
5
HZS24N
B1
22.26
23.12
0.2
35
B2
22.75
23.73
B3
23.29
24.27
B4
23.81
24.81
HZS27N
B1
24.26
25.52
5
0.2
21
45
5
B2
24.97
26.26
B3
25.63
26.95
B4
26.29
27.64
HZS30N
B1
26.99
28.39
5
0.2
23
55
5
B2
27.70
29.13
B3
28.36
29.82
B4
29.02
30.51
HZS33N
B1
29.68
31.22
5
0.2
25
65
5
B2
30.32
31.88
B3
30.90
32.50
B4
31.49
33.11
HZS36N
B1
32.14
33.79
5
0.2
27
75
5
B2
32.79
34.49
B3
33.40
35.13
B4
34.01
35.77
HZS39N
B1
34.68
36.47
5
0.2
30
85
5
B2
35.36
37.19
B3
36.00
37.85
B4
36.63
38.52
Note:
Tested with pulse (P
W
= 40ms)
Type No. is as follows: HZS2.0NB1, HZS2.0NB2, HZS39NB4.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HZS-N | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
| HZS16L | Silicon Epitaxial Planar Zener Diode for Low Noise Application(低噪音應(yīng)用的平面外延齊納二極管) |
| HZS12L | Silicon Epitaxial Planar Zener Diode for Low Noise Application(低噪音應(yīng)用的平面外延齊納二極管) |
| HZS18L | Silicon Epitaxial Planar Zener Diode for Low Noise Application(低噪音應(yīng)用的平面外延齊納二極管) |
| HZS24L | Silicon Epitaxial Planar Zener Diode for Low Noise Application(低噪音應(yīng)用的平面外延齊納二極管) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HZSSERIES | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述: |
| HZT33 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:Monolithic IC Zener Diode for Temperature Compensation |
| HZU10 | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon Epitaxial Planar Zener Diodes for Stabilizer |
| HZU10B | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon Epitaxial Planar Zener Diodes for Stabilizer |
| HZU10B1 | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon Epitaxial Planar Zener Diodes for Stabilizer |
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