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參數(shù)資料
| 型號： | HZM6.8ZFA |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon Epitaxial Planar Zener Diode for Surge Absorb(用于浪涌電流吸收的平面外延齊納二極管) |
| 中文描述： | 硅外延平面齊納二極管浪涌吸收（用于浪涌電流吸收的平面外延齊納二極管） |
| 文件頁數(shù)： | 2/6頁 |
| 文件大小： | 35K |
| 代理商： | HZM6.8ZFA |
HZM6.8ZFA
2
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25
°
C)
Item
Symbol
Value
Unit
Power dissipation
Pd
*1
200
mW
Junction temperature
Tj
150
°
C
°
C
Storage temperature
Note
1. Four device total, See Fig.2.
Tstg
-55 to +150
Electrical Characteristics (Ta = 25
°
C)
*1
Item
Zener voltage
Symbol
V
Z
I
R
C
Min
6.47
Typ
—
Max
7.00
Unit
V
Test Condition
I
Z
= 5 mA, 40ms pulse
V
R
= 3.5V
V
R
= 0V, f = 1 MHz
I
Z
= 5 mA
C =150pF, R = 330
, Both forward and
reverse direction 10 pulse
Reverse current
—
—
2
μ
A
Capacitance
—
—
25
pF
Dynamic resistance
r
d
\
—
—
30
ESD-Capability
*2
20
—
—
kV
Notes
1. Per one device.
2. Failure criterion ; IR2
μ
A at VR = 3.5V.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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