參數(shù)資料
型號(hào)： HZB5.6MFA
文件頁(yè)數(shù)： 2/6頁(yè)
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代理商： HZB5.6MFA
HZB5.6MFA
Rev.0, Nov. 2001, page 2 of 6
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Item
Symbol
Value
Unit
Power dissipation
Pd
*
200
mW
Junction temperature
Tj
150
55 to +150
°C
Storage temperature
Note
:
Two device total, See Fig.2.
Tstg
°C
Electrical Characteristics *
1
(Ta = 25°C)
Item
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test Condition
Zener voltage
V
Z
I
R
C
5.31
—
5.92
V
μ
A
pF
kV
I
Z
= 5 mA, 40 ms pulse
V
R
= 2.5 V
V
R
= 0 V, f = 1 MHz
I
Z
= 5 mA
C = 150 pF, R = 330
, Both forward and
reverse direction 10 pulse
Reverse current
—
—
—
5
80
Capacitance
110
Dynamic resistance
r
d
—
—
ESD-Capability
*
2,
*
3
30
—
—
Notes: 1. Per one device.
2. Failure criterion ; I
R
>
5
μ
A at V
R
= 2.5 V.
3. Between cathode and anode.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HZB6.8MWA
HZB6.8ZMFA
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參數(shù)描述
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