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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HYS72V1283201GR-7-D |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | PC133 Registered SDRAM-Modules |
| 中文描述： | PC133的SDRAM的注冊(cè)模塊 |
| 文件頁數(shù)： | 11/22頁 |
| 文件大?。?/td> | 593K |
| 代理商： | HYS72V1283201GR-7-D |
HYS 72Vxx3xxGR
PC133 Registered SDRAM-Modules
INFINEON Technologies
11
2002-07-18
Refresh Cycle
Refresh Period
64&128MBit SDRAM Based Modules
256&512MBit SDRAM Based Modules
t
REF
–
–
15.6
7.8
–
–
15.6
7.8
μ
s
μ
s
CLK
–
Self Refresh Exit Time
t
SREX
1
–
1
–
6)
Read Cycle
Data Out Hold Time
t
OH
t
LZ
t
HZ
t
DQZ
3
–
3
–
ns
–
Data Out to Low Impedance Time
0
–
0
–
ns
7)
Data Out to High Impedance Time
3
7
3
7
ns
7)
DQM Data Out Disable Latency
–
2
–
2
CLK
–
Write Cycle
Data Input to Precharge
(write recovery)
t
WR
2
–
2
–
CLK
–
DQM Write Mask Latency
t
DQW
0
–
0
–
CLK
–
AC Characteristics (SDRAM Device Specification)
(cont’d)
4), 5)
T
A
= 0 to 70
°
C
1)
;
V
SS
= 0 V;
V
DD
= 3.3 V
±
0.3 V,
t
T
= 1 ns
Parameter
Symbol
Limit Values
Unit
Note
-7
PC133-222
-7.5
PC133-333
min.
max.
min.
max.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYS72V2563201GR-75-A | PC133 Registered SDRAM-Modules |
| HYS72V4200GU-8 | 3.3V 4M x 64/72-Bit 1 BANK SDRAM Module 3.3V 8M x 64/72-Bit 2 BANK SDRAM Module |
| HYS64V4200GU-10 | 3.3V 4M x 64/72-Bit 1 BANK SDRAM Module 3.3V 8M x 64/72-Bit 2 BANK SDRAM Module |
| HYS72V4200GU-10 | 3.3V 4M x 64/72-Bit 1 BANK SDRAM Module 3.3V 8M x 64/72-Bit 2 BANK SDRAM Module |
| HYS64V8220GU-10 | 3.3V 4M x 64/72-Bit 1 BANK SDRAM Module 3.3V 8M x 64/72-Bit 2 BANK SDRAM Module |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYS72V128320GR-7.5 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x72 SDRAM Module |
| HYS72V128320GR-7.5-C2 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:?1GB PC133 (3-3-3) 2-bank End-of-Life? |
| HYS72V128320GR-7.5-D | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x72 SDRAM Module |
| HYS72V128320GR-7-D | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:SDRAM|128MX72|CMOS|DIMM|168PIN|PLASTIC |
| HYS72V128320GR-8 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:SDRAM|128MX72|CMOS|DIMM|168PIN|PLASTIC |
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