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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HYS64V4200GU-8B |
| 廠商： | SIEMENS A G |
| 元件分類(lèi)： | DRAM |
| 英文描述： | 3.3V 4M x 64/72-Bit 1 BANK SDRAM Module 3.3V 8M x 64/72-Bit 2 BANK SDRAM Module |
| 中文描述： | 4M X 64 SYNCHRONOUS DRAM MODULE, 6 ns, DMA168 |
| 封裝： | DIMM-168 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/15頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 76K |
| 代理商： | HYS64V4200GU-8B |
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Semiconductor Group
1
3.3V 4M x 64/72-Bit 1 BANK SDRAM Module
3.3V 8M x 64/72-Bit 2 BANK SDRAM Module
PC66 & PC100 168 pin unbuffered DIMM Modules
HYS64(72)V4200GU
HYS64(72)V8220GU
168 Pin unbuffered 8 Byte Dual-In-Line SDRAM Modules
for PC main memory applications
One bank 4M x 64, 4Mx72 and two bank 8M x 64, 8M x 72 organisation
Optimized for byte-write non-parity and ECC applications
JEDEC standard Synchronous DRAMs (SDRAM)
Fully PC board layout compatible to INTEL’s Rev. 1.0 module specification
SDRAM Performance:
Programmed Latencies :
Single +3.3V(
±
0.3V ) power supply
Programmable CAS Latency, Burst Length and Wrap Sequence
(Sequential & Interleave)
Auto Refresh (CBR) and Self Refresh
Decoupling capacitors mounted on substrate
All inputs, outputs are LVTTL compatible
Serial Presence Detect with E
2
PROM
Utilizes 4M x16 SDRAMs in TSOPII-54 packages
4096 refresh cycles every 64 ms
133,35 mm x 29,31 mm x 4,00 mm card size with gold contact pads
-8
-8B
-10
Units
f
CK
Clock frequency (max.)
100
100
66
MHz
t
AC
Clock access time
6
6
8
ns
Product Speed
CL
tRCD
tRP
-8
PC100
2
2
2
-8B
PC100
3
2
3
-10
PC66
2
2
2
8.98
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| HYS64V8220GU-8B | 3.3V 4M x 64/72-Bit 1 BANK SDRAM Module 3.3V 8M x 64/72-Bit 2 BANK SDRAM Module |
| HYS72V64220GU-75-C2 | 3.3 V 64M x 64/72-Bit, 512MByte SDRAM Modules 168-pin Unbuffered DIMM Modules |
| HYS72V64220GU-75-D | 3.3 V 64M x 64/72-Bit, 512MByte SDRAM Modules 168-pin Unbuffered DIMM Modules |
| HYS72V64220GU-7-D | 3.3 V 64M x 64/72-Bit, 512MByte SDRAM Modules 168-pin Unbuffered DIMM Modules |
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