參數(shù)資料
型號(hào): HYS64V4120GU
廠(chǎng)商: SIEMENS AG
英文描述: 3.3V 4M x 64-Bit 2 BANK SDRAM Module 3.3V 4M x 72-Bit 2 BANK SDRAM Module
中文描述: 3.3 4米× 64位2銀行內(nèi)存模塊3.3分× 72位,2個(gè)銀行內(nèi)存模塊
文件頁(yè)數(shù): 8/11頁(yè)
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代理商: HYS64V4120GU
HYS64(72)V4120GU-10
4M x 64/72 SDRAM-Module
Semiconductor Group
8
CAS to CAS delay time (same bank)
t
CCD
1
CLK
Refresh Cycle
Self Refresh Exit Time
t
SREX
2Clk
+t
RC
ns
8
Refresh Period (4096 cycles)
t
REF
64
ms
7
Read Cycle
Data Out Hold Time
t
OH
t
LZ
t
HZ
3
ns
Data Out to Low Impedance Time
0
ns
Data Out to High Impedance Time
CAS Latency = 3
CAS Latency = 2
CAS Latency = 1
6
8
25
ns
ns
ns
9
DQM Data Out Disable Latency
t
DQZ
2
CLK
Write Cycle
Data In Setup Time
t
DS
t
DH
t
DPL
t
DAL
t
DQW
3
ns
Data In Hold Time
Data input to Precharge
1
ns
CLK
2
Data In to Active/refresh
5
CLK
10
DQM Write Mask Latency
0
CLK
Parameter
Symbol
Limit Values
Unit
Note
-10
min
max
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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HYS64V64220GU 3.3 V 64M x 64/72-Bit, 512MByte SDRAM Modules 168-pin Unbuffered DIMM Modules
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參數(shù)描述
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