參數(shù)資料
型號： HYS64V2100GCU-10
廠商： SIEMENS A G
元件分類： DRAM
英文描述： 3.3V 2M x 64-Bit SDRAM Module 3.3V 2M x 72-Bit SDRAM Module
中文描述： 2M X 64 SYNCHRONOUS DRAM MODULE, 8 ns, DMA168
封裝： DIMM-168
文件頁數(shù)： 8/12頁
文件大?。?/td> 75K
代理商： HYS64V2100GCU-10
HYS64(72)V2100G(C)U-10
2M x 64/72 SDRAM-Module
Semiconductor Group
8
Bank to Bank Delay Time
t
RRD
t
CCD
20
–
ns
CAS to CAS delay time (same bank)
1
–
CLK
Refresh Cycle
Self Refresh Exit Time
t
SREX
2Clk
+t
RC
–
–
ns
8
Refresh Period (4096 cycles)
t
REF
64
ms
7
Read Cycle
Data Out Hold Time
t
OH
t
LZ
t
HZ
3
–
ns
Data Out to Low Impedance Time
0
–
ns
Data Out to High Impedance Time
CAS Latency = 3
CAS Latency = 2
CAS Latency = 1
–
–
–
6
8
25
ns
ns
ns
9
DQM Data Out Disable Latency
t
DQZ
2
–
CLK
Write Cycle
Data In Setup Time
t
DS
t
DH
t
DPL
t
DAL
t
DQW
3
–
ns
Data In Hold Time
1
–
ns
Data input to Precharge
2
–
CLK
Data In to Active/refresh
5
–
CLK
10
DQM Write Mask Latency
0
–
CLK
Parameter
Symbol
Limit Values
Unit
Note
-10
min
max
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HYS72V2100GCU-10 3.3V 2M x 64-Bit SDRAM Module 3.3V 2M x 72-Bit SDRAM Module
HYS64V2100G 3.3V 2M x 64-Bit SDRAM Module 3.3V 2M x 72-Bit SDRAM Module
HYS64V2100GU-10 3.3V 2M x 64-Bit SDRAM Module 3.3V 2M x 72-Bit SDRAM Module
HYS72V2100GU-10 3.3V 2M x 64-Bit SDRAM Module 3.3V 2M x 72-Bit SDRAM Module
HYS64V2200GU-8 3.3V 2M x 64/72-Bit 1 BANK SDRAM Module 3.3V 4M x 64/72-Bit 2 BANK SDRAM Module
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參數(shù)描述
HYS64V2100GU-10 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 2M x 64-Bit SDRAM Module 3.3V 2M x 72-Bit SDRAM Module
HYS64V2200GU-10 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 2M x 64/72-Bit 1 BANK SDRAM Module 3.3V 4M x 64/72-Bit 2 BANK SDRAM Module
HYS64V2200GU-8 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 2M x 64/72-Bit 1 BANK SDRAM Module 3.3V 4M x 64/72-Bit 2 BANK SDRAM Module
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