參數(shù)資料
型號： HYS64D16001GDL-7-B
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： 200-Pin Small Outline Dual-In-Line Memory Modules
中文描述： 200引腳小外型雙列直插內(nèi)存模塊
文件頁數(shù)： 16/31頁
文件大小： 777K
代理商： HYS64D16001GDL-7-B
560
920
940
1040
10
1536
Data Sheet
16
V1.2, 2003-08
HYS64D[1600x/32020]GDL–[5/6/7/8]–B
Small Outline DDR SDRAM Modules
Electrical Characteristics
Table 9
I
DD
Specification
H
128MB
×
64
1 Rank
–6
typ.
352
416
24
180
99
72
252
496
564
574
5
872
P
Symbol
I
DD0
I
DD1
I
DD2P
I
DD2F
I
DD2Q
I
DD3P
I
DD3N
I
DD4R
I
DD4W
I
DD5
I
DD6
I
DD7
H
H
256MB
×
64
2 Ranks
–6
typ.
604
668
48
360
198
144
504
748
816
826
10
1280
H
256MB
×
64
2 Ranks
–5
typ.
640
700
48
368
192
136
480
800
840
860
10
1280
Unit
Note
1)2)
1) DRAM component currents only
2) Test condition for maximum values:
V
DD
= 2.7 V,
T
A
= 10 °C
3) The module
I
DDx
values are calculated from the component
I
DDx
data sheet values as:
m
×
I
DDx
[component] +
n
×
I
DD3N
[component] with
m
and
n
number of components of rank 1 and 2;
n
=0 for 1 rank
modules
4) DQ I/O (
I
DDQ
) currents are not included into calculations: module
I
DD
values will be measured differently depending
on load conditions
5) The module
I
DDx
values are calculated from the corrponent
I
DDx
data sheet values as: (
m
+
n
)
×
I
DDx
[component]
max.
460
500
36
220
112
84
280
640
660
760
5
1140
max.
740
780
72
440
224
168
max.
776
836
72
448
272
192
592
996
1016
1076
10
1536
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
3)
3)4)
5)
5)
5)
5)
5)
3)4)
3)
3)
5)
3)4)
相關PDF資料
PDF描述
HYS64D32020GDL-6-B 200-Pin Small Outline Dual-In-Line Memory Modules
HYS64D32020GDL-5-B Aluminum Electrolytic Radial Lead Hi Temp Capacitor; Capacitance: 22uF; Voltage: 63V; Case Size: 8x11.5 mm; Packaging: Bulk
HYS64D32020GDL-7-B 200-Pin Small Outline Dual-In-Line Memory Modules
HYS64D32020GDL-8-B 200-Pin Small Outline Dual-In-Line Memory Modules
HYS64D32020GDL 200-Pin Small Outline Dual-In-Line Memory Modules
相關代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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